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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
488812N6488TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE NPN/PNPBoca Semiconductor Corporation
488822N6488Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
488832N6488Ç$ä 80V NPN Discreto De la EnergíaON Semiconductor
488842N648875.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE.Continental Device India Limited
488852N648815A, 75W, silicio NPN epitaxial base VERSAWATT transistor. 90V.General Electric Solid State
488862N6489ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 75w)MOSPEC Semiconductor
488872N6489TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE NPN/PNPBoca Semiconductor Corporation
488882N6489Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
488892N648975.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 40V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE.Continental Device India Limited
488902N648915A, 75W, silicio PNP epitaxial base VERSAWATT transistor. -50V.General Electric Solid State
488912N6490TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOST Microelectronics
488922N6490TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOSGS Thomson Microelectronics
488932N6490TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOSGS Thomson Microelectronics
488942N6490ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 75w)MOSPEC Semiconductor
488952N6490TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE NPN/PNPBoca Semiconductor Corporation
488962N6490Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
488972N6490Ç$ä 80V NPN Discreto De la EnergíaON Semiconductor
488982N649075.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE.Continental Device India Limited
488992N649015A, 75W, silicio PNP epitaxial base VERSAWATT transistor. -70V.General Electric Solid State



489002N6491ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 75w)MOSPEC Semiconductor
489012N6491TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE NPN/PNPBoca Semiconductor Corporation
489022N6491Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
489032N6491Ç$ä 80V PNP Discreto De la EnergíaON Semiconductor
489042N649175.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 80V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE.Continental Device India Limited
489052N649115A, 75W, silicio PNP epitaxial base VERSAWATT transistor. -90V.General Electric Solid State
489062N6494TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNPBoca Semiconductor Corporation
489072N6496Alta intensidad, alta potencia, alta velocidad de silicio NPN del transistor planar.General Electric Solid State
489082N6497ENERGÍA TRANSISTORS(Ä, 80w)MOSPEC Semiconductor
489092N6497TRANSISTORES DE ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE DEL SILICIO DE NPNBoca Semiconductor Corporation
489102N6497Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
489112N6497Energía Ä 250V NPN DiscretoON Semiconductor
489122N6497-DTransistores De Energía De alto voltaje Del Silicio de NPNON Semiconductor
489132N6498ENERGÍA TRANSISTORS(Ä, 80w)MOSPEC Semiconductor
489142N6498TRANSISTORES DE ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE DEL SILICIO DE NPNBoca Semiconductor Corporation
489152N6498Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
489162N6498SILICIO DE LOS TRANSISTORES DE ENERGÍA NPNON Semiconductor
489172N6499ENERGÍA TRANSISTORS(Ä, 80w)MOSPEC Semiconductor
489182N6499TRANSISTORES DE ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE DEL SILICIO DE NPNBoca Semiconductor Corporation
489192N6499Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
489202N6500TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO NPN DEL COLECTORGeneral Electric Solid State
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