Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
48881 | 2N6488 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE NPN/PNP | Boca Semiconductor Corporation |
48882 | 2N6488 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48883 | 2N6488 | Ç$ä 80V NPN Discreto De la Energía | ON Semiconductor |
48884 | 2N6488 | 75.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
48885 | 2N6488 | 15A, 75W, silicio NPN epitaxial base VERSAWATT transistor. 90V. | General Electric Solid State |
48886 | 2N6489 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
48887 | 2N6489 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE NPN/PNP | Boca Semiconductor Corporation |
48888 | 2N6489 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48889 | 2N6489 | 75.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 40V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
48890 | 2N6489 | 15A, 75W, silicio PNP epitaxial base VERSAWATT transistor. -50V. | General Electric Solid State |
48891 | 2N6490 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
48892 | 2N6490 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
48893 | 2N6490 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
48894 | 2N6490 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
48895 | 2N6490 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE NPN/PNP | Boca Semiconductor Corporation |
48896 | 2N6490 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48897 | 2N6490 | Ç$ä 80V NPN Discreto De la Energía | ON Semiconductor |
48898 | 2N6490 | 75.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
48899 | 2N6490 | 15A, 75W, silicio PNP epitaxial base VERSAWATT transistor. -70V. | General Electric Solid State |
48900 | 2N6491 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
48901 | 2N6491 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DE NPN/PNP | Boca Semiconductor Corporation |
48902 | 2N6491 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48903 | 2N6491 | Ç$ä 80V PNP Discreto De la Energía | ON Semiconductor |
48904 | 2N6491 | 75.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 80V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
48905 | 2N6491 | 15A, 75W, silicio PNP epitaxial base VERSAWATT transistor. -90V. | General Electric Solid State |
48906 | 2N6494 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
48907 | 2N6496 | Alta intensidad, alta potencia, alta velocidad de silicio NPN del transistor planar. | General Electric Solid State |
48908 | 2N6497 | ENERGÍA TRANSISTORS(Ä, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
48909 | 2N6497 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE DEL SILICIO DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
48910 | 2N6497 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48911 | 2N6497 | Energía Ä 250V NPN Discreto | ON Semiconductor |
48912 | 2N6497-D | Transistores De Energía De alto voltaje Del Silicio de NPN | ON Semiconductor |
48913 | 2N6498 | ENERGÍA TRANSISTORS(Ä, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
48914 | 2N6498 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE DEL SILICIO DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
48915 | 2N6498 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48916 | 2N6498 | SILICIO DE LOS TRANSISTORES DE ENERGÍA NPN | ON Semiconductor |
48917 | 2N6499 | ENERGÍA TRANSISTORS(Ä, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
48918 | 2N6499 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE DEL SILICIO DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
48919 | 2N6499 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
48920 | 2N6500 | TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO NPN DEL COLECTOR | General Electric Solid State |
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