| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 56281 | 2SC5450 | Transistores Horizontales De la Conmutación De la Desviación | SANYO |
| 56282 | 2SC5451 | Transistores Horizontales De la Conmutación De la Desviación | SANYO |
| 56283 | 2SC5452 | Transistores Horizontales De la Conmutación De la Desviación | SANYO |
| 56284 | 2SC5453 | Transistores Horizontales De la Conmutación De la Desviación | SANYO |
| 56285 | 2SC5454 | MOLDE DEL SILICIO DE NPN MINI DE LOS 4-PERNOS EPITAXIAL DEL TRANSISTOR | NEC |
| 56286 | 2SC5455 | MOLDE DEL SILICIO DE NPN MINI DE LOS 4-PERNOS EPITAXIAL DEL TRANSISTOR | NEC |
| 56287 | 2SC5457 | Conmutación de la velocidad del voltaje de interrupción del type(For planar triple de la difusión del silicio NPN alta alta) | Panasonic |
| 56288 | 2SC5458 | El silicio NPN del transistor triplica el regulador de conmutación difundido del tipo y la conmutación del alto voltaje, C.C.-C.C. convertidor, usos del inversor C.C.-CA | TOSHIBA |
| 56289 | 2SC5459 | El silicio NPN del transistor triplica el regulador de conmutación difundido del tipo y la conmutación del alto voltaje, C.C.-C.C. convertidor, usos del convertidor C.C.-CA | TOSHIBA |
| 56290 | 2SC5460 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR. USOS DINÁMICOS DEL FOCO. USOS DE ALTO VOLTAJE DE LA CONMUTACIÓN. USOS DE ALTO VOLTAJE DEL AMPLIFICADOR. | TOSHIBA |
| 56291 | 2SC5463 | Usos Bajos Del Amplificador Del Ruido De la Venda Planar Epitaxial Del Tipo VHF~UHF Del Silicio NPN Del Transistor | TOSHIBA |
| 56292 | 2SC5464 | Usos Bajos Del Amplificador Del Ruido De la Venda Planar Epitaxial Del Tipo VHF~UHF Del Silicio NPN Del Transistor | TOSHIBA |
| 56293 | 2SC5464FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 56294 | 2SC5465 | El silicio NPN del transistor triplica el regulador de conmutación difundido del tipo y usos de alta velocidad del convertidor C.C.-C.C. de los usos de la conmutación del alto voltaje | TOSHIBA |
| 56295 | 2SC5466 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR. FOCO DINÁMICO, CONMUTACIÓN DE ALTO VOLTAJE Y USOS DEL AMPLIFICADOR DEL ALTO VOLTAJE. | TOSHIBA |
| 56296 | 2SC5468 | ETAPA VIDEO DE LA SALIDA DEL TIPO DEL SILICIO NPN EPITAXILA DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) EN LA EXHIBICIÓN DE ALTA RESOLUCIÓN | TOSHIBA |
| 56297 | 2SC5470 | SALIDA HORIZONTAL DIFUNDIDA TRIPLE DE LA DESVIACIÓN DELA EXHIBICIÓN DEL CARÁCTER DEL SILICIO NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56298 | 2SC5470 | SALIDA HORIZONTAL DIFUNDIDA TRIPLE DE LA DESVIACIÓN DELA EXHIBICIÓN DEL CARÁCTER DEL SILICIO NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56299 | 2SC5472 | Oscilación de alta frecuencia de poco ruido de baja tensión del type(For epitaxial de la cepilladora del silicio NPN) | Panasonic |
| 56300 | 2SC5473 | Oscilación de alta frecuencia de poco ruido de baja tensión del type(For epitaxial de la cepilladora del silicio NPN) | Panasonic |
| 56301 | 2SC5474 | Oscilación de alta frecuencia de poco ruido de baja tensión del type(For epitaxial de la cepilladora del silicio NPN) | Panasonic |
| 56302 | 2SC5476 | Transistores De Darlington | SANYO |
| 56303 | 2SC5477 | 150mW SMD transistor NPN, calificación máxima: 20V VCEO, 50mA Ic, 50 a (típico) 148 hFE. La amplificación de alta frecuencia | Isahaya Electronics Corporation |
| 56304 | 2SC5478 | Desviación horizontal de la difusión del silicio NPN del type(For triple del mesa hecha salir) | Panasonic |
| 56305 | 2SC5480 | Salida Difundida Triple De la Desviación Del Silicio NPN Horizntal | Hitachi Semiconductor |
| 56306 | 2SC5480 | Salida Difundida Triple De la Desviación Del Silicio NPN Horizntal | Hitachi Semiconductor |
| 56307 | 2SC5482 | PARA LA ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DE APPRICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56308 | 2SC5482 | PARA LA ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DE APPRICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56309 | 2SC5484 | TRANSISTOR DEL SILICIO NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56310 | 2SC5484 | TRANSISTOR DEL SILICIO NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56311 | 2SC5485 | PARA EL ALTO TIPO EPITAXIAL ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56312 | 2SC5485 | PARA EL ALTO TIPO EPITAXIAL ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56313 | 2SC5486 | 600mW plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 10V VCEO, 5A Ic, 230-600 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56314 | 2SC5488 | Vhf planar epitaxial del transistor del silicio de NPN a los usos wide-Band de poco ruido DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del amplificador | SANYO |
| 56315 | 2SC5488A | RF Transistor, 10V, 70mA, fT = 7 GHz, NPN Individual SSFP | ON Semiconductor |
| 56316 | 2SC5489 | Vhf planar epitaxial del transistor del silicio de NPN a los usos wide-Band de poco ruido DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del amplificador | SANYO |
| 56317 | 2SC5490 | Frecuencia ultraelevada planar epitaxial del transistor del silicio de NPN a los usos de poco ruido del amplificador de la venda de S | SANYO |
| 56318 | 2SC5497 | Productos Nuevos del Rf | TOSHIBA |
| 56319 | 2SC5501 | Vhf planar epitaxial del transistor del silicio de NPN a los usos wide-Band de poco ruido DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del amplificador | SANYO |
| 56320 | 2SC5502 | Usos De poco ruido De alta frecuencia Del Amplificador Del Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | SANYO |
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