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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
610641KM416V1004CT-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
610642KM416V1004CT-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610643KM416V1004CT-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
610644KM416V1004CT-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610645KM416V1004CT-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610646KM416V1004CTL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610647KM416V1004CTL-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610648KM416V1004CTL-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610649KM416V1200BESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610650KM416V1200BJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610651KM416V1200BJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610652KM416V1200BJ-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
610653KM416V1200BJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610654KM416V1200BJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610655KM416V1200BJL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
610656KM416V1200BT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610657KM416V1200BT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610658KM416V1200BT-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
610659KM416V1200BTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic



610660KM416V1200BTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610661KM416V1200BTL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
610662KM416V1200CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610663KM416V1200CJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610664KM416V1200CJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610665KM416V1200CJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610666KM416V1200CJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610667KM416V1200CT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610668KM416V1200CT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610669KM416V1200CTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610670KM416V1200CTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610671KM416V1204BJESPOLÓN del 1M x 16BIT Cmos DYNAMIT CON DATOS EXTENDIDOS HACIA FUERASamsung Electronic
610672KM416V1204BJ-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610673KM416V1204BJ-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610674KM416V1204BJ-73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
610675KM416V1204BJ-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610676KM416V1204BJ-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610677KM416V1204BJ-L73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
610678KM416V1204BT-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610679KM416V1204BT-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610680KM416V1204BT-73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
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