|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | >>
Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
610521KM416RD8AD-RK80256K x 16 x 32s bancos dependientes RDRAM directa. Tiempo de acceso: 45 ns, velocidad: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610522KM416RD8ASRDRAM DirectoSamsung Electronic
610523KM416RD8AS-RBM80128Mbit RDRAM 256K x 16 bancos dependientes 2*16 del pedacito x dirigen RDRAMTM para el paquete del consumidorSamsung Electronic
610524KM416RD8AS-RM80256K x 16 x 32s bancos dependientes para el paquete del consumidor. Tiempo de acceso: 40 ns, velocidad: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610525KM416RD8AS-SCM80128Mbit RDRAM 256K x 16 bancos dependientes 2*16 del pedacito x dirigen RDRAMTM para el paquete del consumidorSamsung Electronic
610526KM416RD8AS-SM80256K x 16 x 32s bancos dependientes para el paquete del consumidor. Tiempo de acceso: 40 ns, velocidad: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
610527KM416RD8C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610528KM416RD8D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610529KM416S1120D512K x 16bit x COPITA síncrona LVTTL de 2 bancosetc
610530KM416S1120DT-G/F10512K x 16bit x COPITA síncrona LVTTL de 2 bancosetc
610531KM416S1120DT-G/F7512K x 16bit x COPITA síncrona LVTTL de 2 bancosetc
610532KM416S1120DT-G/F8512K x 16bit x COPITA síncrona LVTTL de 2 bancosetc
610533KM416S1120DT-G/FC512K x 16bit x COPITA síncrona LVTTL de 2 bancosetc
610534KM416S4030C1M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
610535KM416S4030CT-F101M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
610536KM416S4030CT-F71M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
610537KM416S4030CT-F81M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
610538KM416S4030CT-FH1M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
610539KM416S4030CT-FL1M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic



610540KM416S4030CT-G1M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
610541KM416S4030CT-G764Mbit (1M x 16 bits x 4 bancos) LVTTL DRAMA bynchronous, 143MHzSamsung Electronic
610542KM416S4030CT-G864Mbit (1M x 16 bits x 4 bancos) LVTTL DRAMA bynchronous, 125MHzSamsung Electronic
610543KM416S4030CT-GH64Mbit (1M x 16 bits x 4 bancos) LVTTL DRAMA bynchronous, 100MHzSamsung Electronic
610544KM416S4030CT-GL64Mbit (1M x 16 bits x 4 bancos) LVTTL DRAMA bynchronous, 100MHzSamsung Electronic
610545KM416S4030CT-L1064Mbit (1M x 16 bits x 4 bancos) LVTTL DRAMA bynchronous, 100MHzSamsung Electronic
610546KM416S8030los 2M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
610547KM416S8030Blos 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610548KM416S8030BT-G/F10128Mbit SDRAM los 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610549KM416S8030BT-G/F8128Mbit SDRAM los 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610550KM416S8030BT-G/FA128Mbit SDRAM los 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610551KM416S8030BT-G/FH128Mbit SDRAM los 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610552KM416S8030BT-G/FL128Mbit SDRAM los 2M x 16Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
610553KM416S8030T-G/F10los 2M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
610554KM416S8030T-G/F8los 2M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
610555KM416S8030T-G/FHlos 2M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
610556KM416S8030T-G/FLlos 2M x 16Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
610557KM416V1000BESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610558KM416V1000BJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610559KM416V1000BJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610560KM416V1000BJ-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com