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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
610321KM416C1000BJ-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
610322KM416C1000BJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610323KM416C1000BJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610324KM416C1000BJL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
610325KM416C1000BT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610326KM416C1000BT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610327KM416C1000BT-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
610328KM416C1000BTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610329KM416C1000BTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610330KM416C1000BTL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
610331KM416C1000CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610332KM416C1000CJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610333KM416C1000CJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610334KM416C1000CJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610335KM416C1000CJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610336KM416C1000CT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610337KM416C1000CT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
610338KM416C1000CTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
610339KM416C1000CTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic



610340KM416C1004BJ-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610341KM416C1004BJ-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610342KM416C1004BJ-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610343KM416C1004BJ-75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
610344KM416C1004BJ-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610345KM416C1004BJ-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610346KM416C1004BJ-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610347KM416C1004BJ-L75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
610348KM416C1004BT-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610349KM416C1004BT-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610350KM416C1004BT-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610351KM416C1004BT-75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
610352KM416C1004BT-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
610353KM416C1004BT-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610354KM416C1004BT-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610355KM416C1004BT-L75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
610356KM416C1004CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
610357KM416C1004CJ-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
610358KM416C1004CJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
610359KM416C1004CJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
610360KM416C1004CJ-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
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