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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
610761KM416V4100BS-54M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
610762KM416V4100BS-64M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
610763KM416V4100BS-L454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, energía bajaSamsung Electronic
610764KM416V4100BS-L54M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potenciaSamsung Electronic
610765KM416V4100BS-L64M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, energía bajaSamsung Electronic
610766KM416V4100CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610767KM416V4100CS-454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
610768KM416V4100CS-54M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
610769KM416V4100CS-64M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
610770KM416V4100CS-L454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, energía bajaSamsung Electronic
610771KM416V4100CS-L54M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potenciaSamsung Electronic
610772KM416V4100CS-L64M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, energía bajaSamsung Electronic
610773KM416V4104BESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
610774KM416V4104BS-454M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
610775KM416V4104BS-54M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
610776KM416V4104BS-64M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
610777KM416V4104BSL-454M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, de baja potenciaSamsung Electronic
610778KM416V4104BSL-54M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potenciaSamsung Electronic
610779KM416V4104BSL-64M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, de baja potenciaSamsung Electronic



610780KM416V4104CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
610781KM416V4104CS-45ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
610782KM416V4104CS-504M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
610783KM416V4104CS-604M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
610784KM416V4104CS-L454M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, de baja potenciaSamsung Electronic
610785KM416V4104CS-L504M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potenciaSamsung Electronic
610786KM416V4104CS-L604M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, de baja potenciaSamsung Electronic
610787KM4170Bajo Costo, +2.7V Y +5V, Amplificadores Del Carril-a-Carril I/OFairchild Semiconductor
610788KM4170IS5TR3Bajo Costo/+2.7V Y +5V/Amplificadores Del Carril-a-Carril I/OFairchild Semiconductor
610789KM4170IT5TR3Bajo Costo/+2.7V Y +5V/Amplificadores Del Carril-a-Carril I/OFairchild Semiconductor
610790KM418RD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610791KM418RD16AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610792KM418RD16AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610793KM418RD16C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610794KM418RD16D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610795KM418RD2AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610796KM418RD2AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610797KM418RD2C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610798KM418RD2D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610799KM418RD32AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
610800KM418RD32AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
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