| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 63121 | 2SK416 | ALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63122 | 2SK416 | ALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63123 | 2SK416L | ALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63124 | 2SK416L | ALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63125 | 2SK416S | ALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63126 | 2SK416S | ALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63127 | 2SK417 | 2SK417 | TOSHIBA |
| 63128 | 2SK417 | 2SK417 | TOSHIBA |
| 63129 | 2SK4171 | MOSFET de potencia 60 V, 100 A, 7.2 mOhm Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 63130 | 2SK4174 | Silicio N-MOSFET de canal mejora | Panasonic |
| 63131 | 2SK4206 | Silicio N-canal de unión FET | Panasonic |
| 63132 | 2SK4206G | Silicio N-canal de unión FET | Panasonic |
| 63133 | 2SK4207 | MOSFET de potencia (N-CH 700V | TOSHIBA |
| 63134 | 2SK4208 | Silicio N-MOSFET de canal mejora | Panasonic |
| 63135 | 2SK427 | Usos Del Amplificador del Rf Del Sintonizador del Fet Del Silicio De la Ensambladura Del N-Canal | SANYO |
| 63136 | 2SK429 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63137 | 2SK429 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63138 | 2SK429L | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63139 | 2SK429L | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63140 | 2SK429S | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63141 | 2SK429S | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63142 | 2SK430 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63143 | 2SK430 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63144 | 2SK430L | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63145 | 2SK430L | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63146 | 2SK430S | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63147 | 2SK430S | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63148 | 2SK433 | 150mW SMD J-FET (transistor de efecto de campo), máxima calificación: -50V Vgdo, 10mA Ig, 0.6to 12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
| 63149 | 2SK435 | Fet del MOS Del Canal Del Silicio N | Hitachi Semiconductor |
| 63150 | 2SK435 | Fet De la Ensambladura Del N-Canal Del Silicio | Hitachi Semiconductor |
| 63151 | 2SK435 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 63152 | 2SK436 | Usos De uso general De alta frecuencia, De baja frecuencia Del Amperio | SANYO |
| 63153 | 2SK439 | Fet del MOS Del Canal Del Silicio N | Hitachi Semiconductor |
| 63154 | 2SK439 | Fet del MOS Del N-Canal Del Silicio | Hitachi Semiconductor |
| 63155 | 2SK443 | Usos De primera planta De la Cámara de vídeo | SANYO |
| 63156 | 2SK444 | Usos De la Cámara de vídeo del Fet Del Silicio De la Ensambladura Del N-Canal | SANYO |
| 63157 | 2SK445 | Usos De la Etapa De la Cámara de vídeo del Fet Del Silicio De la Ensambladura Del N-Canal 1ros | SANYO |
| 63158 | 2SK447 | 2SK447 | Unknow |
| 63159 | 2SK447 | 2SK447 | Unknow |
| 63160 | 2SK492 | 150mW SMD J-FET (transistor de efecto de campo), máxima calificación: -50V Vgdo, 10mA Ig, de 1 a 12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
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