|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 1574 | 1575 | 1576 | 1577 | 1578 | 1579 | 1580 | 1581 | 1582 | 1583 | 1584 | >>
Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
631212SK416ALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120sHitachi Semiconductor
631222SK416ALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120sHitachi Semiconductor
631232SK416LALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120sHitachi Semiconductor
631242SK416LALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120sHitachi Semiconductor
631252SK416SALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120sHitachi Semiconductor
631262SK416SALTA ENERGÍA de SPPED QUE CAMBIA par complementario con2SJ120L, 2sj120sHitachi Semiconductor
631272SK4172SK417TOSHIBA
631282SK4172SK417TOSHIBA
631292SK4171MOSFET de potencia 60 V, 100 A, 7.2 mOhm Single N-ChannelON Semiconductor
631302SK4174Silicio N-MOSFET de canal mejoraPanasonic
631312SK4206Silicio N-canal de unión FETPanasonic
631322SK4206GSilicio N-canal de unión FETPanasonic
631332SK4207MOSFET de potencia (N-CH 700V TOSHIBA
631342SK4208Silicio N-MOSFET de canal mejoraPanasonic
631352SK427Usos Del Amplificador del Rf Del Sintonizador del Fet Del Silicio De la Ensambladura Del N-CanalSANYO
631362SK429CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor
631372SK429CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor
631382SK429LCONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor
631392SK429LCONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor



631402SK429SCONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor
631412SK429SCONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor
631422SK430CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor
631432SK430CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor
631442SK430LCONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor
631452SK430LCONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor
631462SK430SCONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor
631472SK430SCONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍAHitachi Semiconductor
631482SK433150mW SMD J-FET (transistor de efecto de campo), máxima calificación: -50V Vgdo, 10mA Ig, 0.6to 12 mA Idss.Isahaya Electronics Corporation
631492SK435Fet del MOS Del Canal Del Silicio NHitachi Semiconductor
631502SK435Fet De la Ensambladura Del N-Canal Del SilicioHitachi Semiconductor
631512SK435Transistors&gt;Amplifiers/MOSFETsRenesas
631522SK436Usos De uso general De alta frecuencia, De baja frecuencia Del AmperioSANYO
631532SK439Fet del MOS Del Canal Del Silicio NHitachi Semiconductor
631542SK439Fet del MOS Del N-Canal Del SilicioHitachi Semiconductor
631552SK443Usos De primera planta De la Cámara de vídeoSANYO
631562SK444Usos De la Cámara de vídeo del Fet Del Silicio De la Ensambladura Del N-CanalSANYO
631572SK445Usos De la Etapa De la Cámara de vídeo del Fet Del Silicio De la Ensambladura Del N-Canal 1rosSANYO
631582SK4472SK447Unknow
631592SK4472SK447Unknow
631602SK492150mW SMD J-FET (transistor de efecto de campo), máxima calificación: -50V Vgdo, 10mA Ig, de 1 a 12 mA Idss.Isahaya Electronics Corporation
Las hojas de datos encontraron :: 1351360Página: << | 1574 | 1575 | 1576 | 1577 | 1578 | 1579 | 1580 | 1581 | 1582 | 1583 | 1584 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Russian version



© 2017 - www.DatasheetCatalog.com