| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 63241 | 2SK614 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 63242 | 2SK615 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 63243 | 2SK619 | FET DEL MOS DEL SILICIO N-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 63244 | 2SK619 | FET DEL MOS DEL SILICIO N-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 63245 | 2SK620 | Fet del MOS Del N-Canal Del Silicio | Panasonic |
| 63246 | 2SK624 | Ensambladura Del N-Canal Del Silicio | National Semiconductor |
| 63247 | 2SK624 | Ensambladura Del N-Canal Del Silicio | National Semiconductor |
| 63248 | 2SK641 | FET DEL MOS DEL SILICIO N-CHANNEL | Unknow |
| 63249 | 2SK641 | FET DEL MOS DEL SILICIO N-CHANNEL | Unknow |
| 63250 | 2SK642 | FET DEL MOS DEL SILICIO N-CHANNEL | Unknow |
| 63251 | 2SK642 | FET DEL MOS DEL SILICIO N-CHANNEL | Unknow |
| 63252 | 2SK643 | 2SK643 | TOSHIBA |
| 63253 | 2SK643 | 2SK643 | TOSHIBA |
| 63254 | 2SK646 | FET DEL MOS DEL SILICIO N-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 63255 | 2SK646 | FET DEL MOS DEL SILICIO N-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 63256 | 2SK649 | Dispositivos de arseniuro de galio | Panasonic |
| 63257 | 2SK65 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs de la ensambladura | Panasonic |
| 63258 | 2SK653 | Dispositivos de arseniuro de galio | Panasonic |
| 63259 | 2SK654 | MOSFET RÁPIDO DE LA ENERGÍA DEL SILICIO DE LA CONMUTACIÓN N-CHANNEL | NEC |
| 63260 | 2SK654 | MOSFET RÁPIDO DE LA ENERGÍA DEL SILICIO DE LA CONMUTACIÓN N-CHANNEL | NEC |
| 63261 | 2SK655 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 63262 | 2SK656 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 63263 | 2SK657 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 63264 | 2SK659 | TRANSISTOR De ENERGÍA Del CAMPO EFECT Del MOS Del CANAL De N | NEC |
| 63265 | 2SK659 | TRANSISTOR De ENERGÍA Del CAMPO EFECT Del MOS Del CANAL De N | NEC |
| 63266 | 2SK660 | TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENSAMBLADURA DEL SILICIO DE N-CHANNEL PARA EL CONVERTIDOR DE LA IMPEDANCIA DEL ECM | NEC |
| 63267 | 2SK660 | TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENSAMBLADURA DEL SILICIO DE N-CHANNEL PARA EL CONVERTIDOR DE LA IMPEDANCIA DEL ECM | NEC |
| 63268 | 2SK662 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs de la ensambladura | Panasonic |
| 63269 | 2SK663 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs de la ensambladura | Panasonic |
| 63270 | 2SK664 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 63271 | 2SK665 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 63272 | 2SK669 | Interruptor Muy De alta velocidad del Mosfet Del Silicio Del Realce Del N-Canal, Usos Análogos Del Interruptor | SANYO |
| 63273 | 2SK678 | 2SK678 | TOSHIBA |
| 63274 | 2SK678 | 2SK678 | TOSHIBA |
| 63275 | 2SK679 | Fet del MOS Del N-canal PARA La Alta CONMUTACIÓN De la Velocidad | NEC |
| 63276 | 2SK679A | Fet del MOS Del N-canal PARA La Alta CONMUTACIÓN De la Velocidad | NEC |
| 63277 | 2SK679A-T | Tipo transistor del MOS de efecto de campo | NEC |
| 63278 | 2SK679A-T/JD | Tipo transistor del MOS de efecto de campo | NEC |
| 63279 | 2SK679A-T/JM | Tipo transistor del MOS de efecto de campo | NEC |
| 63280 | 2SK679A/JD | Tipo transistor del MOS de efecto de campo | NEC |
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