| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 63201 | 2SK56 | Fet De la Ensambladura 8Ii-N-HANNEL | Unknow |
| 63202 | 2SK56 | Fet De la Ensambladura 8Ii-N-HANNEL | Unknow |
| 63203 | 2SK560 | Fet del MOS Del N-Canal Del Silicio | Renesas |
| 63204 | 2SK578 | FUERA DE LA LÍNEA CIRCUITO DE BQUIVALRN | TOSHIBA |
| 63205 | 2SK578 | FUERA DE LA LÍNEA CIRCUITO DE BQUIVALRN | TOSHIBA |
| 63206 | 2SK579 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63207 | 2SK579 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63208 | 2SK579L | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63209 | 2SK579L | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63210 | 2SK579S | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63211 | 2SK579S | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63212 | 2SK58 | Tipo Fet Dual (Uso C.C.-A-DC-to-VHF, Ruido Bajo) De la Ensambladura Del N-Canal Del Silicio | SONY |
| 63213 | 2SK58 | Tipo Fet Dual (Uso C.C.-A-DC-to-VHF, Ruido Bajo) De la Ensambladura Del N-Canal Del Silicio | SONY |
| 63214 | 2SK580 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63215 | 2SK580 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63216 | 2SK580L | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63217 | 2SK580L | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63218 | 2SK580S | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63219 | 2SK580S | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE LA ENERGÍA | Hitachi Semiconductor |
| 63220 | 2SK583 | Usos Análogos Del Interruptor del Mosfet Del Silicio Del Realce Del N-Canal | SANYO |
| 63221 | 2SK591 | TRANSISTOR de ENERGÍA del EFECTO del CAMPO del MOS Del N-canal | NEC |
| 63222 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63223 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63224 | 2SK596 | USOS DEL MICRÓFONO DEL CONDENSADOR | SANYO |
| 63225 | 2SK596 | USOS DEL MICRÓFONO DEL CONDENSADOR | SANYO |
| 63226 | 2SK596A | V (GDO): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; aplicación micrófono condensador | SANYO |
| 63227 | 2SK596B | V (GDO): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; aplicación micrófono condensador | SANYO |
| 63228 | 2SK596C | V (GDO): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; aplicación micrófono condensador | SANYO |
| 63229 | 2SK596D | V (GDO): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; aplicación micrófono condensador | SANYO |
| 63230 | 2SK596E | V (GDO): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; aplicación micrófono condensador | SANYO |
| 63231 | 2SK601 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 63232 | 2SK606 | Tipo de canal del silicio N Junction | Panasonic |
| 63233 | 2SK608 | Tipo de canal del silicio N Junction | Panasonic |
| 63234 | 2SK611 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL EFECTO DEL CAMPO DEL MOS | NEC |
| 63235 | 2SK611 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL EFECTO DEL CAMPO DEL MOS | NEC |
| 63236 | 2SK612 | Transistores De Energía Del Efecto Del Campo del MOS | Unknow |
| 63237 | 2SK612 | Transistores De Energía Del Efecto Del Campo del MOS | Unknow |
| 63238 | 2SK612 | V (DSS): 100V; 20W; el cambio rápido de canal N de potencia MOS FET de silicio. Para uso industrial | NEC |
| 63239 | 2SK612-Z | Transistores De Energía Del Efecto Del Campo del MOS | Unknow |
| 63240 | 2SK612-Z | Transistores De Energía Del Efecto Del Campo del MOS | Unknow |
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