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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
881281MJ4035TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIOST Microelectronics
881282MJ4035TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIOSGS Thomson Microelectronics
881283MJ4035TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIOSGS Thomson Microelectronics
881284MJ4035ENERGÍA TRANSISTORS(1Ã, 60-100v, 150w)MOSPEC Semiconductor
881285MJ4035Transistor De Energía Plomado DarlingtonCentral Semiconductor
881286MJ4035100V Darlington media potencia transistor de silicio complementarioComset Semiconductors
881287MJ4035Darlington NPN transistor de potencia de silicio. 100 V, 16 A, 150 W.Motorola
881288MJ4105 SILICIO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL AMPERIO NPNMotorola
881289MJ411Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
881290MJ413Transistores De Energía Del Silicio De 10 Amperios NPN 125WMicro Commercial Components
881291MJ41310 SILICIO DE LOS TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL AMPERIO NPNMotorola
881292MJ413Ic = 10A, Vce = 5.0V transistorMCC
881293MJ420Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
881294MJ420SFines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
881295MJ421Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
881296MJ421SFines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
881297MJ423Transistores De Energía Del Silicio De 10 Amperios NPN 125WMicro Commercial Components
881298MJ423Ic = 10A, Vce = 5.0V transistorMCC



881299MJ423De alta tensión del transistor NPN de silicioMotorola
881300MJ423De alto voltaje del silicio de NPN TransistorON Semiconductor
881301MJ423-DTransistor De alto voltaje Del Silicio de NPNON Semiconductor
881302MJ431Transistores De Energía Del Silicio De 10 Amperios NPN 125WMicro Commercial Components
881303MJ431Ic = 10A, Vce = 5.0V transistorMCC
881304MJ4502ENERGÍA TRANSISTORS(30A, 100v, 200w)MOSPEC Semiconductor
881305MJ450230 SILICIO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL AMPERIO PNP 100 VOLTIOS 200 VATIOSMotorola
881306MJ4502Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
881307MJ4502Energía 30A 100V PNP DiscretoON Semiconductor
881308MJ4502Energía 30A 100V PNP DiscretoON Semiconductor
881309MJ4502TRANSISTORES DE ALTA ENERGÍA COMPLEMENTARIOSST Microelectronics
881310MJ4502TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE ALTA POTENCIASGS Thomson Microelectronics
881311MJ4502PNP. Transistor de silicio planar. Audio amplificador de potencia de CC al convertidor de CC.Wing Shing Computer Components
881312MJ4502-DTransistor De alta potencia Del Silicio de PNPON Semiconductor
881313MJ4646Dispositivo Bipolar de PNPSemeLAB
881314MJ490Dispositivo Bipolar de PNPSemeLAB
881315MJ491Dispositivo Bipolar de PNPSemeLAB
881316MJ802ENERGÍA TRANSISTORS(30A, 100v, 200w)MOSPEC Semiconductor
881317MJ802C.C. PLANAR DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL SILICIO TRANSISTOR(AUDIO DE NPN AL CONVERTIDOR DE LA C.C.)Wing Shing Computer Components
881318MJ80230 SILICIO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL AMPERIO NPN 100 VOLTIOS 200 VATIOSMotorola
881319MJ802Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
881320MJ802Energía 30A 90V NPN DiscretoON Semiconductor
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