Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
881401 | MJD127 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 8 AMPERIOS 100 VOLTIOS 20 VATIOS | Motorola |
881402 | MJD127 | Energía Å 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
881403 | MJD127 | Energía Å 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
881404 | MJD127 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON | ST Microelectronics |
881405 | MJD127 | PNP darlington transistor de alta ganancia de corriente DC, 100V, 8A | Samsung Electronic |
881406 | MJD127-1 | CIRCUITOS de CONTROL del CONVERTIDOR C.C.-C.C. | ST Microelectronics |
881407 | MJD127-1 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 8 AMPERIOS 100 VOLTIOS 20 VATIOS | Motorola |
881408 | MJD127-1 | PNP transistor de alta ganancia de corriente DC, 100V, 8A | Fairchild Semiconductor |
881409 | MJD127-1 | PNP transistor de alta ganancia de corriente DC, 100V, 8A | ON Semiconductor |
881410 | MJD127-1 | PNP darlington transistor de alta ganancia de corriente DC, 100V, 8A | Samsung Electronic |
881411 | MJD127-1 | PNP darlington transistor de alta ganancia de corriente DC, 100V, 5A | SGS Thomson Microelectronics |
881412 | MJD127T4 | CIRCUITOS de CONTROL del CONVERTIDOR C.C.-C.C. | ST Microelectronics |
881413 | MJD127T4 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 8 AMPERIOS 100 VOLTIOS 20 VATIOS | Motorola |
881414 | MJD127T4 | Energía Å 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
881415 | MJD127T4 | Energía Å 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
881416 | MJD127T4 | Transistor PNP, para el amplificador de propósito general y aplicaciones de baja velocidad de conmutación, 100V, 8A | Fairchild Semiconductor |
881417 | MJD127T4 | PNP darlington transistor de alta ganancia de corriente DC, 100V, 5A | SGS Thomson Microelectronics |
881418 | MJD127TF | Transistor De Darlington Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
881419 | MJD128 | PNP Darlington transistor de energía | ON Semiconductor |
881420 | MJD13003-D | Serie De alto voltaje DPAK de SWITCHMODE Para Los Usos Superficiales Del Montaje | ON Semiconductor |
881421 | MJD148 | Transistor De Energía Del Silicio de NPN | ON Semiconductor |
881422 | MJD148-D | Transistor De Energía Del Silicio de NPN DPAK Para Los Usos Superficiales Del Montaje | ON Semiconductor |
881423 | MJD148T4 | Transistor De Energía Del Silicio de NPN | ON Semiconductor |
881424 | MJD18002D2 | Bipolar Transistor de NPN | ON Semiconductor |
881425 | MJD18002D2-D | Transistor de energía bipolar del aumento de alta velocidad, alto NPN del transistor bipolar de NPN con el diodo integrado del collector-Emitter y red eficiente incorporada de Antisaturation | ON Semiconductor |
881426 | MJD200 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
881427 | MJD200 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 5 AMPERIOS 25 VOLTIOS 12,5 VATIOS | Motorola |
881428 | MJD200 | Transistores De Energía Plásticos Complementarios NPN | ON Semiconductor |
881429 | MJD200-1 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 5 AMPERIOS 25 VOLTIOS 12,5 VATIOS | Motorola |
881430 | MJD200-D | Silicio Plástico Complementario DPAK De los Transistores De Energía NPN/PNP Para Los Usos Superficiales Del Montaje | ON Semiconductor |
881431 | MJD200RL | Transistores De Energía Plásticos Complementarios NPN | ON Semiconductor |
881432 | MJD200T4 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 5 AMPERIOS 25 VOLTIOS 12,5 VATIOS | Motorola |
881433 | MJD200T4 | Transistores De Energía Plásticos Complementarios NPN | ON Semiconductor |
881434 | MJD210 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
881435 | MJD210 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 5 AMPERIOS 25 VOLTIOS 12,5 VATIOS | Motorola |
881436 | MJD210 | Energía Ä 25V PNP Discreto | ON Semiconductor |
881437 | MJD210-1 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 5 AMPERIOS 25 VOLTIOS 12,5 VATIOS | Motorola |
881438 | MJD210RL | Energía Ä 25V PNP Discreto | ON Semiconductor |
881439 | MJD210T4 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 5 AMPERIOS 25 VOLTIOS 12,5 VATIOS | Motorola |
881440 | MJD210T4 | Energía Ä 25V PNP Discreto | ON Semiconductor |
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