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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
881561MJD361T4-ABaja tensión transistores de potencia complementariaST Microelectronics
881562MJD41CTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881563MJD41CTRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 6 AMPERIOS 100 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881564MJD41CEnergía à 100V NPNON Semiconductor
881565MJD41C-1TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 6 AMPERIOS 100 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881566MJD41C-DTransistores De Energía Complementarios DPAK Para Los Usos Superficiales Del MontajeON Semiconductor
881567MJD41CRLEnergía à 100V NPNON Semiconductor
881568MJD41CT4TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 6 AMPERIOS 100 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881569MJD41CT4Energía à 100V NPNON Semiconductor
881570MJD41CTFTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881571MJD42Amplificador De fines generalesFairchild Semiconductor
881572MJD42CTransistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
881573MJD42CTRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 6 AMPERIOS 100 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881574MJD42CEnergía à 100V PNPON Semiconductor
881575MJD42C-1TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 6 AMPERIOS 100 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881576MJD42C1Energía à 100V PNPON Semiconductor
881577MJD42CRLEnergía à 100V PNPON Semiconductor
881578MJD42CT4Energía à 100V PNPON Semiconductor
881579MJD42CTFAmplificador De fines generalesFairchild Semiconductor



881580MJD42_MJD42CUsos Bajos De la Conmutación De la Velocidad Del Amplificador De fines generalesFairchild Semiconductor
881581MJD44TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN DARLINGTON 10 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881582MJD44TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO PNPST Microelectronics
881583MJD44E3TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN DARLINGTON 10 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881584MJD44E3Transistor De Energía De DarlingtonON Semiconductor
881585MJD44E3-1TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN DARLINGTON 10 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881586MJD44E3-DTransistor De Energía De Darlington DPAK Para El Uso Superficial Del MontajeON Semiconductor
881587MJD44E3T4TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN DARLINGTON 10 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881588MJD44E3T4Transistor De Energía De DarlingtonON Semiconductor
881589MJD44H11Transistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881590MJD44H11CIRCUITOS de CONTROL del CONVERTIDOR C.C.-C.C.ST Microelectronics
881591MJD44H11TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO PNPSGS Thomson Microelectronics
881592MJD44H11TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 8 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881593MJD44H11Pla NPN De la Energía 10A 80VON Semiconductor
881594MJD44H11-001Pla NPN De la Energía 10A 80VON Semiconductor
881595MJD44H11-1TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 8 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881596MJD44H11-DTransistores De Energía Complementarios DPAK Para Los Usos Superficiales Del MontajeON Semiconductor
881597MJD44H11GTRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIOON Semiconductor
881598MJD44H11GTRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIOON Semiconductor
881599MJD44H11RLPla NPN De la Energía 10A 80VON Semiconductor
881600MJD44H11T4TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 8 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
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