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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
912201MTD6N10TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA, PUERTA DE SILICIO DE N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, DPAK PARA EL MONTAJE SUPERFICIAL O EL MONTAJE DE LA INSERCIÓNMotorola
912202MTD6N10EFet de la ENERGÍA de TMOS 6,0 AMPERIOS 100 VOLTIOS De RDS(on) = 0,400 OHMIOSMotorola
912203MTD6N10E6 Amp DPAK Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 100ON Semiconductor
912204MTD6N10E-DTransistor de efecto de campo de la energía del E-e-fet de TMOS DPAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montajeON Semiconductor
912205MTD6N15Fet de la ENERGÍA de TMOS 6,0 AMPERIOS 150 VOLTIOS De RDS(on) = 0,3 OHMIOSMotorola
912206MTD6N153R De la Energía 150V de TMOSON Semiconductor
912207MTD6N15-DTransistor de efecto de campo de la energía DPAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montajeON Semiconductor
912208MTD6N15T43R De la Energía 150V de TMOSON Semiconductor
912209MTD6N15T4G3R De la Energía 150V de TMOSON Semiconductor
912210MTD6N20EMosfet De la Energía 6 Amperios, 200 VoltiosON Semiconductor
912211MTD6N20E-DMosfet De la Energía 6 Amperios, 200 Voltios De N-Canal DPAKON Semiconductor
912212MTD6N20ET4Mosfet De la Energía 6 Amperios, 200 VoltiosON Semiconductor
912213MTD6N20ET4GMosfet De la Energía 6 Amperios, 200 VoltiosON Semiconductor
912214MTD6P10EFet de la ENERGÍA de TMOS 6,0 AMPERIOS 100 VOLTIOS De RDS(on) = 0,66 OHMIOSMotorola
912215MTD6P10EMosfet De la Energía 6 Amperios, 100 VoltiosON Semiconductor
912216MTD6P10E-DMosfet De la Energía 6 Amperios, 100 Voltios De P-Canal DPAKON Semiconductor
912217MTD6P10EGMosfet De la Energía 6 Amperios, 100 VoltiosON Semiconductor
912218MTD6P10ET4Mosfet De la Energía 6 Amperios, 100 VoltiosON Semiconductor



912219MTD6P10ET4GMosfet De la Energía 6 Amperios, 100 VoltiosON Semiconductor
912220MTD7030DIODO DE LA FOTOMarktech Optoelectronics
912221MTD7030ADIODO DE LA FOTOMarktech Optoelectronics
912222MTD800Controlador integrado de fast ethernetMYSON TECHNOLOGY
912223MTD8000NDetectores De la FotoMarktech Optoelectronics
912224MTD8000NWDetectores De la FotoMarktech Optoelectronics
912225MTD8000PDetectores De la FotoMarktech Optoelectronics
912226MTD8N06EFet de la ENERGÍA de TMOS 8,0 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,12 OHMIOSMotorola
912227MTD907Codificador Ethernet / decodificador y 10 baseT transceptorMYSON TECHNOLOGY
912228MTD981AFTransceptor 10/100 ethernetMYSON TECHNOLOGY
912229MTD981AGTransceptor 10/100 ethernetMYSON TECHNOLOGY
912230MTD9N10EFet de la ENERGÍA de TMOS 9,0 AMPERIOS 100 VOLTIOS De RDS(on) = 0,25 OHMIOSMotorola
912231MTD9N10EOBSOLETOS - Mosfet De la Energía 9 Etapas, 100 VoltsON Semiconductor
912232MTD9N10E-DMosfet De la Energía 9 Amperios, 100 Voltios De N-Canal DPAKON Semiconductor
912233MTDF1C02HDFET DUAL COMPLEMENTARIO DE LA ENERGÍA DE TMOSMotorola
912234MTDF1C02HDMOSFET de potencia 1 Amp, 20 VoltiosON Semiconductor
912235MTDF1C02HD-DMosfet De la Energía 1 Amperio, 20 Voltios De Micro8 ComplementarioON Semiconductor
912236MTDF1N02HDMosfet DUAL de la ENERGÍA de TMOS 1,7 AMPERIOS 20 VOLTIOS De RDS(on) = 0,120 OHMIOSMotorola
912237MTDF1N02HDMOSFET de potencia 1 Amp, 20 VoltiosON Semiconductor
912238MTDF1N02HD-DMosfet De la Energía 1 Amperio, 20 Voltios De N-Canal Micro8, DualON Semiconductor
912239MTDF1N03HDMosfet DUAL de la ENERGÍA de TMOS 2,0 AMPERIOS 30 VOLTIOS De RDS(on) = 0,120 OHMIOSMotorola
912240MTDF1N03HDMOSFET de potencia 1 Amp, 30 VoltiosON Semiconductor
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