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Opinión todos los datasheets de IntersilMosfet De la Energía De 30A/De 200V/0,085 Ohmios/N-Canal Transferencia Directa IRF250 datasheet de
Intersil
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Opinión todos los datasheets de Samsung ElectronicMOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal

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Samsung Electronic
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Opinión todos los datasheets de International Rectifier200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âe

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766,
Transferencia Directa IRF250 datasheet de
International Rectifier
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151 kb
Opinión todos los datasheets de SemeLABMosfet de la ENERGÍA Del N-canal Transferencia Directa IRF250 datasheet de
SemeLAB
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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid Statecanal-modo de mejora de potencia de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 30. Transferencia Directa IRF250 datasheet de
General Electric Solid State
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IRF247Vista IRF250 a nuestro catálogoIRF250SMD



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