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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
1128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM con PLL y registro basado en 128Mx4 apilado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs con la presencia serial Detec del SPDSamsung Electronic
2128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM con PLL y el registro basados en 128Mx4 apilado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs con la hoja de datos del SPDSamsung Electronic
3128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM con PLL y el registro basados en 128Mx4 apilado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs con la hoja de datos del SPDSamsung Electronic
416L102DA4MÓDULO DE EXHIBICIÓN FLUORESCENTE DEL VACÍOSamsung Electronic
516T202DA1JMÓDULO DE EXHIBICIÓN FLUORESCENTE DEL VACÍOSamsung Electronic
620S207DA4MÓDULO DE EXHIBICIÓN FLUORESCENTE DEL VACÍOSamsung Electronic
7256MBDDRSDRAMDDRSDRAMSpecificationVersion0.3Samsung Electronic
82N3903transistor epitaxial del silicio del npnSamsung Electronic
92N3905TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
102N4123TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
112N4124TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
122N4125TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
132N4126TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
142N5086TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
152N5089TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
162N5210TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
172N5400TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
182N5401TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
192N5550TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
202N6427TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DARLINGTON DE NPNSamsung Electronic
212N6428TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
222N6428ATRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
232N6516TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
242N6517TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
252N6518TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
262N6519TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
272N6520TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
2862256ESPOLÓN bajo de los parásitos atmosféricos de la energía Cmos del pedacito 32Kx8Samsung Electronic
29B772PNP (CONMUTACIÓN BAJA DE LA VELOCIDAD DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA AUDIO)Samsung Electronic
30BCW30TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
31BCW32TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
32BCW33TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
33BCW60ATRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
34BCW60BTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
35BCW60CTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
36BCW60DTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
37BCW61ATRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
38BCW61BTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
39BCW61CTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
40BCW61DTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
41BCW69TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
42BCW70TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
43BCW71TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
44BCW72TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
45BCX70GTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
46BCX70HTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
47BCX70JTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
48BCX70KTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
49BCX71GTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
50BCX71HTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
51BCX71JTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
52BCX71KTRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNPSamsung Electronic
53BL8531H12 Pedacito 10MSPS ADCSamsung Electronic
54BL8531H-ADC12 Pedacito 10MSPS ADCSamsung Electronic
55BU406400 V, 7 A, transistor NPN de silicio epitaxialSamsung Electronic
56BU406H400 V, 7 A, transistor NPN de silicio epitaxialSamsung Electronic
57BU407TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
58BU407H330 V, 7 A, transistor NPN de silicio epitaxialSamsung Electronic



59BU408400 V, 7 A, transistor NPN de silicio epitaxialSamsung Electronic
60BU806400 V, 8 A, de silicio epitaxial transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
61BU807400 V, 8 A, de silicio epitaxial transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
62C9658MICROCONTROLADORSamsung Electronic
63CL10B224Condensador De cerámica De múltiples capasSamsung Electronic
64CL21C220Condensador De cerámica De múltiples capasSamsung Electronic
65CM-1429Esquema circular del PWBSamsung Electronic
66CM-1829Esquema circular del PWBSamsung Electronic
67CM14198-2 Esquema circular del PWBSamsung Electronic
68CM14298-2 Esquema circular del PWBSamsung Electronic
69CM18198-2 Esquema circular del PWBSamsung Electronic
70CM18298-2 Esquema circular del PWBSamsung Electronic
71CM1829-1429Esquema circular del PWBSamsung Electronic
72CMOS DRAMModo de EDO, x4 y diagrama que mide el tiempo del dispositivo x8Samsung Electronic
73CMOS SDRAMOperaciones Del Dispositivo del Cmos SDRAMSamsung Electronic
74CW5322XSDH104Samsung Electronic
75DA22497EXTREMO DELANTERO DE FMSamsung Electronic
76DA22497DEXTREMO DELANTERO DE FMSamsung Electronic
77DDRSDRAMVersión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
78DDRSDRAM1111Versión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
79DIRECT RDRAMOperación Directa Del Dispositivo de RDRAM™Samsung Electronic
80DS_K1S161611Amemoria de acceso al azar del Uni-Transistor del pedacito 1Mx16Samsung Electronic
81DS_K1S16161CAmemoria de acceso al azar del Uni-Transistor del modo de la página del pedacito 1Mx16Samsung Electronic
82DS_K4D263238Del 1M x 32Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datos con el estroboscópico de los datos y el DLL bidireccionalesSamsung Electronic
83DS_K4S161622D1M x 16 SDRAMSamsung Electronic
84DS_K4S161622E1M x 16 SDRAMSamsung Electronic
85DS_K6F1016U4CESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía bajaestupenda del pedacito de 64K x16 y de la baja tensión CmosSamsung Electronic
86DS_K6F2008U2EESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito 256Kx8 y de la baja tensión CmosSamsung Electronic
87DS_K6F2016U4EESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito de 128K x16 y de la baja tensión CmosSamsung Electronic
88DS_K6F3216T6MESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito x16 de los 2M y de la baja tensión CmosSamsung Electronic
89DS_K6F4016U6GESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito 256Kx16 y de la baja tensión CmosSamsung Electronic
90DS_K6F8016U6BESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito de 512K x16 y de la baja tensión CmosSamsung Electronic
91DS_K6F8016U6CESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito de 512K x16 y de la baja tensión CmosSamsung Electronic
92DS_K6X8008C2BESPOLÓN de los parásitos atmosféricos de la energía baja del pedacito 1Mx8 y de la baja tensión CmosSamsung Electronic
93DS_K6X8008TBNCMOS SRAMSamsung Electronic
94DS_K6X8016C3B64Kx36 Y 64Kx32-Bit Explosión Canalizada Síncrona SRAMSamsung Electronic
95DS_K7A803600B256Kx36Samsung Electronic
96DS_K7B803625B256Kx36 Y 512Kx18-Bit Explosión Síncrona SRAMSamsung Electronic
97DS_K7M323625M1Mx36 Y 2Mx18 Fluir-Por NtRAMSamsung Electronic
98DS_K7M803625B256Kx36 Y 512Kx18-Bit Atraviesan NtRAMSamsung Electronic
99DS_K7N163601A512Kx36 Y NtRAM Canalizado 1Mx18Samsung Electronic
100DS_K7N323601M1Mx36 Y NtRAM Canalizado 2Mx18-BitSamsung Electronic

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