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Opinión todos los datasheets de Intersil4.0A y 4,5 A, 450 V y 500 V, 1,5 y 2,0 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia

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Intersil
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Opinión todos los datasheets de Samsung ElectronicMOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal

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Samsung Electronic
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Opinión todos los datasheets de Fairchild SemiconductorEnergía A MOSFETs/4,5/450V/500V Del N-Canal

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IRF833, IRF831, IRF832, IRF430-433,
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Fairchild Semiconductor
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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. Transferencia Directa IRF433 datasheet de
General Electric Solid State
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IRF432Vista IRF433 a nuestro catálogoIRF440



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