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IRF453 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 12A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF452, IRF451, IRF450, |
Transferencia Directa IRF453 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF453 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 219 kb |
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11A y 13A, 450V y 500V, 0,4 y 0,5 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Transferencia Directa IRF453 datasheet de Intersil |
pdf 62 kb |
IRF452 | Vista IRF453 a nuestro catálogo | IRF460 |