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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF453 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF452, IRF451, IRF450, |
Download IRF453 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF453 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 219 kb |
 | 11A und 13A, 450V und 500V, 0,4 und 0,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Download IRF453 datasheet von Intersil |
pdf 62 kb |
| IRF452 | Ansicht IRF453 zu unserem Katalog | IRF460 |