Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
567881 | IRF440 | 500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
567882 | IRF440 | N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V | Fairchild Semiconductor |
567883 | IRF440 | 8A/ 500V/ 0.850 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
567884 | IRF440 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567885 | IRF440-443 | N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V | Fairchild Semiconductor |
567886 | IRF441 | N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V | Fairchild Semiconductor |
567887 | IRF441 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567888 | IRF441 | 7A und 8A, 450V und 500V, 0,85 und 1,1 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
567889 | IRF442 | N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V | Fairchild Semiconductor |
567890 | IRF442 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567891 | IRF442 | 7A und 8A, 450V und 500V, 0,85 und 1,1 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
567892 | IRF443 | N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V | Fairchild Semiconductor |
567893 | IRF443 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567894 | IRF443 | 7A und 8A, 450V und 500V, 0,85 und 1,1 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
567895 | IRF450 | N Lenken Mosfet | Microsemi |
567896 | IRF450 | 500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
567897 | IRF450 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
567898 | IRF450 | 13A/ 500V/ 0.400 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
567899 | IRF450 | 13A/ 500V/ 0.400 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
567900 | IRF450 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567901 | IRF450 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
567902 | IRF451 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567903 | IRF451 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
567904 | IRF451 | 11A und 13A, 450V und 500V, 0,4 und 0,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
567905 | IRF452 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567906 | IRF452 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
567907 | IRF452 | 11A und 13A, 450V und 500V, 0,4 und 0,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
567908 | IRF453 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567909 | IRF453 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
567910 | IRF453 | 11A und 13A, 450V und 500V, 0,4 und 0,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
567911 | IRF460 | 500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket | International Rectifier |
567912 | IRF460 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-HOCHSPANNUNGSENERGIE MOSFETS | SemeLAB |
567913 | IRF4905 | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
567914 | IRF4905L | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
567915 | IRF4905PBF | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
567916 | IRF4905S | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
567917 | IRF4905STRL | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
567918 | IRF4905STRL-111 | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
567919 | IRF4905STRR | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
567920 | IRF500 | 50W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHT | etc |
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