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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
567881IRF440500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA PaketInternational Rectifier
567882IRF440N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500VFairchild Semiconductor
567883IRF4408A/ 500V/ 0.850 Ohm N-Führung Energie MosfetIntersil
567884IRF440N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567885IRF440-443N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500VFairchild Semiconductor
567886IRF441N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500VFairchild Semiconductor
567887IRF441N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567888IRF4417A und 8A, 450V und 500V, 0,85 und 1,1 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567889IRF442N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500VFairchild Semiconductor
567890IRF442N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567891IRF4427A und 8A, 450V und 500V, 0,85 und 1,1 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567892IRF443N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500VFairchild Semiconductor
567893IRF443N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567894IRF4437A und 8A, 450V und 500V, 0,85 und 1,1 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567895IRF450N Lenken MosfetMicrosemi
567896IRF450500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA PaketInternational Rectifier
567897IRF450N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSemeLAB
567898IRF45013A/ 500V/ 0.400 Ohm N-Führung Energie MosfetFairchild Semiconductor
567899IRF45013A/ 500V/ 0.400 Ohm N-Führung Energie MosfetIntersil



567900IRF450N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567901IRF450N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 13A.General Electric Solid State
567902IRF451N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567903IRF451N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 13A.General Electric Solid State
567904IRF45111A und 13A, 450V und 500V, 0,4 und 0,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567905IRF452N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567906IRF452N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A.General Electric Solid State
567907IRF45211A und 13A, 450V und 500V, 0,4 und 0,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567908IRF453N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567909IRF453N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A.General Electric Solid State
567910IRF45311A und 13A, 450V und 500V, 0,4 und 0,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567911IRF460500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE PaketInternational Rectifier
567912IRF460N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-HOCHSPANNUNGSENERGIE MOSFETSSemeLAB
567913IRF4905-55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567914IRF4905L-55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567915IRF4905PBF-55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567916IRF4905S-55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567917IRF4905STRL-55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567918IRF4905STRL-111-55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567919IRF4905STRR-55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567920IRF50050W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHTetc
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