| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 567921 | IRF500 | 50W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHT | etc |
| 567922 | IRF500C10RJ | 50W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHT | etc |
| 567923 | IRF500C10RJ | 50W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHT | etc |
| 567924 | IRF510 | 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 567925 | IRF510 | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567926 | IRF510 | N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETs | Supertex Inc |
| 567927 | IRF510 | 5.6A/ 100V/ 0.540 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 567928 | IRF510 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567929 | IRF510 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100V, 5.6A | Harris Semiconductor |
| 567930 | IRF510-513 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5 A 60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567931 | IRF510A | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Fairchild Semiconductor |
| 567932 | IRF510S | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567933 | IRF510STRL | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567934 | IRF510STRR | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567935 | IRF511 | N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETs | Supertex Inc |
| 567936 | IRF511 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5 A 60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567937 | IRF511 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567938 | IRF511 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 80V, 5,6A | Harris Semiconductor |
| 567939 | IRF512 | N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETs | Supertex Inc |
| 567940 | IRF512 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5 A 60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567941 | IRF512 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567942 | IRF512 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100V, 4.9A | Harris Semiconductor |
| 567943 | IRF513 | N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETs | Supertex Inc |
| 567944 | IRF513 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5 A 60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567945 | IRF513 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567946 | IRF513 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 80V, 4.9A | Harris Semiconductor |
| 567947 | IRF520 | 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Führung Energie Mosfet Eigenschaften | Fairchild Semiconductor |
| 567948 | IRF520 | N-CHANNEL 100V - 0.115 OHM - 10A TO-220 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 567949 | IRF520 | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567950 | IRF520 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 567951 | IRF520 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 567952 | IRF520 | N - VERTIKALE DMOS ENERGIE FETs DES FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS- | Supertex Inc |
| 567953 | IRF520 | 9.2A/ 100V/ 0.270 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 567954 | IRF520A | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Fairchild Semiconductor |
| 567955 | IRF520FI | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 567956 | IRF520FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 567957 | IRF520FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 567958 | IRF520L | Energie MOSFET(Vdss=100V/ Rds(on)=0.20ohm/ Id=9.7A) | International Rectifier |
| 567959 | IRF520N | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567960 | IRF520NL | HEXFET Leistungs-MOSFET. VDSS = 100V, RDS (on) = 0,20 Ohm, ID = 9.7a | International Rectifier |
| | | |
