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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF452 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF451, IRF450, IRF453, |
Download IRF452 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 219 kb |
 | 11A und 13A, 450V und 500V, 0,4 und 0,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Download IRF452 datasheet von Intersil |
pdf 62 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A. | Download IRF452 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
| IRF451 | Ansicht IRF452 zu unserem Katalog | IRF453 |