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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
3501MT6P04ATUso Bajo Del Amplificador Del Ruido Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor De la Venda Planar Epitaxial De Vhf-frecuencia ultraelevadaTOSHIBA
3502MT6P06EUso Bajo Del Amplificador Del Ruido Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor De la Venda Planar Epitaxial De Vhf-frecuencia ultraelevadaTOSHIBA
3503MT6P06TUso Bajo Del Amplificador Del Ruido Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor De la Venda Planar Epitaxial De Vhf-frecuencia ultraelevadaTOSHIBA
3504MT6P07EUso Bajo Del Amplificador Del Ruido Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor De la Venda Planar Epitaxial De Vhf-frecuencia ultraelevadaTOSHIBA
3505MT6P07TUso Bajo Del Amplificador Del Ruido Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor De la Venda Planar Epitaxial De Vhf-frecuencia ultraelevadaTOSHIBA
3506MT8986AEInterruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUSTOSHIBA
3507MT8986ALInterruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUSTOSHIBA
3508MT8986APInterruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUSTOSHIBA
3509MT8986AP1Interruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUSTOSHIBA
3510MT8986APRInterruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUSTOSHIBA
3511MT8986APR1Interruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUSTOSHIBA
3512OR8GU41TIPO DIFUNDIDO (USOS DE ALTA VELOCIDAD DEL RECTIFICADOR)TOSHIBA
3513P1001AIC INFRARROJO DE THSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTOTOSHIBA
3514P100AIC INFRARROJO DE THSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTOTOSHIBA
3515P1014IC INFRARROJO DE TOSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTOTOSHIBA
3516P1015IC INFRARROJO DE TOSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTOTOSHIBA
3517PA75358CPSILICIO MONOLÍTICO (AMPLIFICADOR DUAL DE POERATIONAL)TOSHIBA
3518PAL20L8PUERTA DE SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOSTOSHIBA
3519PAL20R4PUERTA DE SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOSTOSHIBA
3520PAL20R6PUERTA DE SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOSTOSHIBA
3521PAL20R8PUERTA DE SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOSTOSHIBA
3522PGU1008A(T05)Indicador Del Circuito Del Panel - Lámparas del LEDTOSHIBA
3523RFM00U7UMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
3524RFM01U7PMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
3525RFM03U3CTMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
3526RFM04U6PMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
3527RFM07U7XMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
3528RFM08U9XMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
3529RFM12U7XMOSFET de potencia de radiofrecuenciaTOSHIBA
3530RN1001Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3531RN1002Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3532RN1003Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3533RN1004Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3534RN1005Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3535RN1006Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3536RN1007Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3537RN1008Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3538RN1009Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3539RN1010Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3540RN1011Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3541RN1101Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3542RN1101ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3543RN1101CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3544RN1101FUsos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3545RN1101FTUsos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3546RN1101MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3547RN1102Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3548RN1102ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3549RN1102CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3550RN1102FUsos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3551RN1102FTUsos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3552RN1102MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3553RN1103Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3554RN1103ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3555RN1103CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3556RN1103FUsos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3557RN1103FTUsos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3558RN1103MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3559RN1104Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3560RN1104ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA



3561RN1104CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3562RN1104FUsos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3563RN1104FTUsos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3564RN1104MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3565RN1105Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3566RN1105ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3567RN1105CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3568RN1105FUsos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3569RN1105FTUsos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3570RN1105MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3571RN1106Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3572RN1106ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3573RN1106CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3574RN1106FUsos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3575RN1106FTUsos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3576RN1106MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3577RN1107Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3578RN1107ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3579RN1107CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3580RN1107FUsos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3581RN1107FTUsos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3582RN1107MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3583RN1108Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3584RN1108ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3585RN1108CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3586RN1108FUsos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3587RN1108FTUsos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3588RN1108MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3589RN1109Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3590RN1109ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3591RN1109CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3592RN1109FUsos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3593RN1109FTUsos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3594RN1109MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3595RN1110Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3596RN1110CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3597RN1110FConmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
3598RN1110FTConmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
3599RN1110MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
3600RN1111Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA

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