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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1162601STB25NM60NT4Mosfet Di MDmesh della GENERAZIONE Della N-scanalatura 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 SECONDOST Microelectronics
1162602STB26NM60NN-channel 600 V, 0.135 Ohm tip., 20 A MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in package D2PAKST Microelectronics
1162603STB26NM60NDN-channel 600 V, 0,145 Ohm tip., 21 A FDmesh MOSFET di potenza (TM) II (con diodo veloce) in package D2PAKST Microelectronics
1162604STB270N4F3N-channel 40 V, 1,6 mOhm tip., 160 A STripFET (TM) III PowerMOSFET in package D2PAKST Microelectronics
1162605STB27NM60NDN-channel 600 V, 0,13 Ohm, 21 A FDmesh MOSFET di potenza (TM) II (con diodo veloce) in D2PAKST Microelectronics
1162606STB28N60M2N-channel 600 V, 0.135 Ohm tip., 22 A MDmesh II Plus (TM) a bassa potenza Qg MOSFET in package D2PAKST Microelectronics
1162607STB28NM50NN-channel 500 V, 0.135 Ohm tip. 21 A MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in package D2PAKST Microelectronics
1162608STB28NM60NDN-channel 600 V, 0.120 Ohm tip., 24 A FDmesh MOSFET di potenza (TM) II (con diodo veloce) in package D2PAKST Microelectronics
1162609STB2N62K3N-channel 620 V, 3 Ohm, 2,2 A, D2PAK SuperMESH3 (TM) MOSFET di potenzaST Microelectronics
1162610STB3015N - MANICA 30V - 0.013 Ohm - 40A - MOSFET di ALIMENTAZIONE di D2PAK/TO-220 STripFETOST Microelectronics
1162611STB3015N - MANICA 30V - 0.013 Ohm - 40A - MOSFET di ALIMENTAZIONE di D2PAK/TO-220 STripFETOST Microelectronics
1162612STB3015LN-scanalatura 30V - 0,013 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 40A D2pak/to-220 STRIPFETST Microelectronics
1162613STB3015LN - MANICA 30V - 0,013 W - 40A - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di D 2 Pak/to-220 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1162614STB3015LN-scanalatura 30V - 0,013 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 40A D2pak/to-220 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162615STB3020LN - MANICA 30V - 0.019W - 40A - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
1162616STB30N10VECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-inST Microelectronics
1162617STB30N10VECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-inSGS Thomson Microelectronics
1162618STB30N10N - MANICA 100V - 0.0Õhm - 30A - TRANSISTORE Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
1162619STB30N65M5N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V MOSFET D2PAKST Microelectronics



1162620STB30NE06LN-scanalatura 60V - 0,35 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 30A D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162621STB30NE06LN-scanalatura 60V - 0,35 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di 30A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162622STB30NE06LN - MANICA 60V - 0,35 Ohm - 30A - Mosfet di ALIMENTAZIONE Di D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
1162623STB30NF10Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE II della CARICA STRIPFET del CANCELLO di OHM 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Della N-scanalatura 100V 0,038ST Microelectronics
1162624STB30NF10Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE II della CARICA STRIPFET del CANCELLO di OHM 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Della N-scanalatura 100V 0,038SGS Thomson Microelectronics
1162625STB30NF10T4Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE II della CARICA STRIPFET del CANCELLO di OHM 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Della N-scanalatura 100V 0,038ST Microelectronics
1162626STB30NF20N-channel a 200 V, 0,065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) MOSFET di potenzaST Microelectronics
1162627STB30NF20LN-channel a 200 V, 0,065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) MOSFET di potenzaST Microelectronics
1162628STB30NS15N-scanalatura 150V - 0,075 OHM - Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET del CANCELLO Di 30A D2PAKST Microelectronics
1162629STB31N65M5N-channel 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V Potenza MOSFET in package D2PAKST Microelectronics
1162630STB32N65M5N-channel 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V Potenza MOSFET in D2PAKST Microelectronics
1162631STB32NM50NN-channel 500 V, 0.1 Ohm tip. 22 A MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in package D2PAKST Microelectronics
1162632STB33N60M2N-channel 600 V, 0.108 Ohm tip., 26 A MDmesh II Plus (TM) a bassa potenza Qg MOSFET in package D2PAKST Microelectronics
1162633STB34N65M5N-channel 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V Potenza MOSFET in package D2PAKST Microelectronics
1162634STB34NM60NN-channel 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in D2PAKST Microelectronics
1162635STB34NM60NDN-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh MOSFET di potenza (TM) II (con diodo veloce) D2PAKST Microelectronics
1162636STB35N65M5N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh (TM) V Potenza MOSFET in D2PAKST Microelectronics
1162637STB35NF10Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET del CANCELLO di OHM 40A To-220/d2pak Della N-scanalatura 100V 0.030ST Microelectronics
1162638STB35NF10Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET del CANCELLO di OHM 40A To-220/d2pak Della N-scanalatura 100V 0.030SGS Thomson Microelectronics
1162639STB35NF10T4Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET del CANCELLO di OHM 40A To-220/d2pak Della N-scanalatura 100V 0.030ST Microelectronics
1162640STB36NF02LN-scanalatura 20V - 0,016 OHM - 3Ã - Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET del CANCELLO di D2PAKST Microelectronics
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