| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1162601 | STB25NM60NT4 | Mosfet De MDmesh de la GENERACIÓN Del N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 SEGUNDO | ST Microelectronics |
| 1162602 | STB26NM60N | Canal N 600 V, 0.135 Ohm tip., 20 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162603 | STB26NM60ND | Canal N 600 V, 0.145 Ohm típ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en el paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162604 | STB270N4F3 | Canal N 40 V, 1.6 mOhm tip., 160 A STripFET (TM) III PowerMOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162605 | STB27NM60ND | Canal N 600 V, 0,13 Ohm, 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162606 | STB28N60M2 | Canal N 600 V, 0.135 Ohm típ. 22 A MDmesh II Plus (TM) MOSFETs de bajo Qg de energía en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162607 | STB28NM50N | Canal N 500 V, 0.135 Ohm típ. 21 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162608 | STB28NM60ND | Canal N 600 V, 0.120 Ohm tip., 24 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en el paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162609 | STB2N62K3 | Canal N 620 V, 3 Ohm, 2.2 A, D2PAK SuperMESH3 (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162610 | STB3015 | N - CANAL 30V - 0.013 ohmio - 40A - MOSFET de la ENERGÍA de D2PAK/TO-220 STripFETO | ST Microelectronics |
| 1162611 | STB3015 | N - CANAL 30V - 0.013 ohmio - 40A - MOSFET de la ENERGÍA de D2PAK/TO-220 STripFETO | ST Microelectronics |
| 1162612 | STB3015L | N-canal 30V - 0,013 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 40A D2pak/to-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162613 | STB3015L | N - CANAL 30V - 0,013 W - 40A - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 Pak/to-220 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162614 | STB3015L | N-canal 30V - 0,013 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 40A D2pak/to-220 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162615 | STB3020L | N - CANAL 30V - 0.019W - 40A - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162616 | STB30N10 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1162617 | STB30N10 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162618 | STB30N10 | N - CANAL 100V - Los 0.0Õhm - 30A - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA De D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162619 | STB30N65M5 | Canal N 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162620 | STB30NE06L | N-canal 60V - 0,35 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 30A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162621 | STB30NE06L | N-canal 60V - 0,35 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 30A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162622 | STB30NE06L | N - CANAL 60V - 0,35 Ohmios - 30A - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162623 | STB30NF10 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA II de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Del N-canal 100V 0,038 | ST Microelectronics |
| 1162624 | STB30NF10 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA II de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Del N-canal 100V 0,038 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162625 | STB30NF10T4 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA II de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Del N-canal 100V 0,038 | ST Microelectronics |
| 1162626 | STB30NF20 | Canal N 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162627 | STB30NF20L | Canal N 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162628 | STB30NS15 | N-canal 150V - 0,075 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 30A D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162629 | STB31N65M5 | Canal N 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162630 | STB32N65M5 | Canal N 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET en D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162631 | STB32NM50N | Canal N 500 V, 0.1 Ohm típ. 22 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162632 | STB33N60M2 | Canal N 600 V, 0.108 Ohm típ. 26 A MDmesh II Plus (TM) MOSFETs de bajo Qg de energía en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162633 | STB34N65M5 | Canal N 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162634 | STB34NM60N | Canal N 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET en D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162635 | STB34NM60ND | Canal N 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162636 | STB35N65M5 | Canal N 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET en D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162637 | STB35NF10 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 40A To-220/d2pak Del N-canal 100V 0.030 | ST Microelectronics |
| 1162638 | STB35NF10 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 40A To-220/d2pak Del N-canal 100V 0.030 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162639 | STB35NF10T4 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 40A To-220/d2pak Del N-canal 100V 0.030 | ST Microelectronics |
| 1162640 | STB36NF02L | N-canal 20V - 0,016 OHMIOS - 3Ã - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA de D2PAK | ST Microelectronics |
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