Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1162481 | STB15NM60ND | Canal N 600 V - 0.27 Ohm - MOSFET de potencia - 14 A - FDmesh II Power MOSFET D2PAK | ST Microelectronics |
1162482 | STB160N75F3 | Canal N 75 V, 3.2 mOhm tip., 120 A STripFET (TM) MOSFET de potencia en el paquete D2PAK | ST Microelectronics |
1162483 | STB160NF02L | N-canal 20V - 0,0018 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
1162484 | STB160NF02L | N-canal 20V - 0,0018 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1162485 | STB160NF03L | N-canal 30V 0,0021 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
1162486 | STB160NF03L | N-canal 30V 0,0021 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1162487 | STB160NF3LL | N-canal 30V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
1162488 | STB160NF3LL | N-canal 30V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
1162489 | STB160NF3LLT4 | N-canal 30V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
1162490 | STB16N65M5 | Canal N 650 V, 0.230 Ohm, 12 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en D2PAK | ST Microelectronics |
1162491 | STB16NB25 | N - CANAL 250V - Los 0.220Ohm - 1Ã - Mosfet De To-263 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1162492 | STB16NF06L | N-canal 60V - 0,07 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 1Ã D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
1162493 | STB16NF06L | N-canal 60V - 0,07 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 1Ã D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1162494 | STB16NF06LT4 | N-canal 60V - 0,07 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 1Ã D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
1162495 | STB16NK60Z-S | El N-canal 600V - 0,38 Ohmios - El 1Â To-220/i2spak/To-247 Zener-Protegio' SuperMESH Mosfet | ST Microelectronics |
1162496 | STB16NK65Z-S | N-canal 650 V - 0,38 Ohmios - 13 Un SuperMESH Zener-Protegido To-220/ispak; Mosfet | ST Microelectronics |
1162497 | STB16NS25 | N-canal 250V - 0,23 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Ã D2PAK | ST Microelectronics |
1162498 | STB16NS25 | Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO 1Ã D2PAK Del N-canal 250V 0,23 | SGS Thomson Microelectronics |
1162499 | STB16NS25T4 | N-canal 250V - 0,23 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Ã D2PAK | ST Microelectronics |
1162500 | STB16PF06L | P-canal 60V - 0,11 Ohmios - Mosfet De 1Ã D2PAK STripFET | ST Microelectronics |
1162501 | STB16PF06LT4 | P-canal 60V - 0,11 Ohmios - Mosfet De 1Ã D2PAK STripFET | ST Microelectronics |
1162502 | STB170NF04 | Canal N 40 V, 4.4 mOhm tip., 80 A STripFET (TM) II Power MOSFET en un paquete D2PAK | ST Microelectronics |
1162503 | STB185N55F3 | Canal N 55 V, 3.2 mOhm tip., 120 A STripFET (TM) MOSFET de potencia en el paquete D2PAK | ST Microelectronics |
1162504 | STB18N20 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1162505 | STB18N20 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1162506 | STB18N20 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1162507 | STB18N55M5 | Canal N 550 V, 0.150 Ohm tip., 16 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
1162508 | STB18N60M2 | Canal N 600 V, 0.255 Ohm típ. 13 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
1162509 | STB18N65M5 | Canal N 650 V, 0.198 Ohm tip., 15 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
1162510 | STB18NF25 | Canal N 250 V, 0,14 Ohm, 17 A cargo bajo puerta STripFET (TM) II Power MOSFET en paquete D2PAK | ST Microelectronics |
1162511 | STB18NF30 | Automotive grado de canal N 330 V, 160 mOhm tip., 18 A STripFET (TM) II Power MOSFET en un paquete D2PAK | ST Microelectronics |
1162512 | STB18NM60ND | Canal N 600 V, 0,25 Ohm típ. 13 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en el paquete D2PAK | ST Microelectronics |
1162513 | STB18NM80 | Canal N 800 V, 0,25 Ohm, 17 A, MDmesh (TM) MOSFET de potencia en el paquete D2PAK | ST Microelectronics |
1162514 | STB190NF04 | N-canal 40V - mOhm 3,9 - MOSFET de la ENERGÍA de 120A D2pak/i2pak/to-220 STripFET II | ST Microelectronics |
1162515 | STB190NF04/-1 | N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - MOSFET de la ENERGÍA de 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II | ST Microelectronics |
1162516 | STB190NF04/-1 | N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - MOSFET de la ENERGÍA de 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II | ST Microelectronics |
1162517 | STB190NF04T4 | N-canal 40V - mOhm 3,9 - MOSFET de la ENERGÍA de 120A D2pak/i2pak/to-220 STripFET II | ST Microelectronics |
1162518 | STB19NB20 | N-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet De 19A D2PAK POWERMESH | ST Microelectronics |
1162519 | STB19NB20 | N-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet De 19A D2PAK POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1162520 | STB19NB20 | N - Mosfet De PowerMESH del MODO del REALCE del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |