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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1162481STB15NM60NDCanal N 600 V - 0.27 Ohm - MOSFET de potencia - 14 A - FDmesh II Power MOSFET D2PAKST Microelectronics
1162482STB160N75F3Canal N 75 V, 3.2 mOhm tip., 120 A STripFET (TM) MOSFET de potencia en el paquete D2PAKST Microelectronics
1162483STB160NF02LN-canal 20V - 0,0018 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162484STB160NF02LN-canal 20V - 0,0018 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162485STB160NF03LN-canal 30V 0,0021 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162486STB160NF03LN-canal 30V 0,0021 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162487STB160NF3LLN-canal 30V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFET IIST Microelectronics
1162488STB160NF3LLN-canal 30V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1162489STB160NF3LLT4N-canal 30V - 0,0026 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 160A D2PAK STRIPFET IIST Microelectronics
1162490STB16N65M5Canal N 650 V, 0.230 Ohm, 12 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en D2PAKST Microelectronics
1162491STB16NB25N - CANAL 250V - Los 0.220Ohm - 1Ã - Mosfet De To-263 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1162492STB16NF06LN-canal 60V - 0,07 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 1Ã D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162493STB16NF06LN-canal 60V - 0,07 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 1Ã D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162494STB16NF06LT4N-canal 60V - 0,07 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 1Ã D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162495STB16NK60Z-SEl N-canal 600V - 0,38 Ohmios - El 1Â To-220/i2spak/To-247 Zener-Protegio' SuperMESH™ MosfetST Microelectronics
1162496STB16NK65Z-SN-canal 650 V - 0,38 Ohmios - 13 Un SuperMESH™ Zener-Protegido To-220/ispak; MosfetST Microelectronics
1162497STB16NS25N-canal 250V - 0,23 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Ã D2PAKST Microelectronics
1162498STB16NS25Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO 1Ã D2PAK Del N-canal 250V 0,23SGS Thomson Microelectronics
1162499STB16NS25T4N-canal 250V - 0,23 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Ã D2PAKST Microelectronics



1162500STB16PF06LP-canal 60V - 0,11 Ohmios - Mosfet De 1Ã D2PAK STripFETST Microelectronics
1162501STB16PF06LT4P-canal 60V - 0,11 Ohmios - Mosfet De 1Ã D2PAK STripFETST Microelectronics
1162502STB170NF04Canal N 40 V, 4.4 mOhm tip., 80 A STripFET (TM) II Power MOSFET en un paquete D2PAKST Microelectronics
1162503STB185N55F3Canal N 55 V, 3.2 mOhm tip., 120 A STripFET (TM) MOSFET de potencia en el paquete D2PAKST Microelectronics
1162504STB18N20VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1162505STB18N20VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1162506STB18N20N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
1162507STB18N55M5Canal N 550 V, 0.150 Ohm tip., 16 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET en paquete D2PAKST Microelectronics
1162508STB18N60M2Canal N 600 V, 0.255 Ohm típ. 13 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete D2PAKST Microelectronics
1162509STB18N65M5Canal N 650 V, 0.198 Ohm tip., 15 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en paquete D2PAKST Microelectronics
1162510STB18NF25Canal N 250 V, 0,14 Ohm, 17 A cargo bajo puerta STripFET (TM) II Power MOSFET en paquete D2PAKST Microelectronics
1162511STB18NF30Automotive grado de canal N 330 V, 160 mOhm tip., 18 A STripFET (TM) II Power MOSFET en un paquete D2PAKST Microelectronics
1162512STB18NM60NDCanal N 600 V, 0,25 Ohm típ. 13 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en el paquete D2PAKST Microelectronics
1162513STB18NM80Canal N 800 V, 0,25 Ohm, 17 A, MDmesh (TM) MOSFET de potencia en el paquete D2PAKST Microelectronics
1162514STB190NF04N-canal 40V - mOhm 3,9 - MOSFET de la ENERGÍA de 120A D2pak/i2pak/to-220 STripFET IIST Microelectronics
1162515STB190NF04/-1N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - MOSFET de la ENERGÍA de 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET IIST Microelectronics
1162516STB190NF04/-1N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - MOSFET de la ENERGÍA de 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET IIST Microelectronics
1162517STB190NF04T4N-canal 40V - mOhm 3,9 - MOSFET de la ENERGÍA de 120A D2pak/i2pak/to-220 STripFET IIST Microelectronics
1162518STB19NB20N-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet De 19A D2PAK POWERMESHST Microelectronics
1162519STB19NB20N-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet De 19A D2PAK POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
1162520STB19NB20N - Mosfet De PowerMESH del MODO del REALCE del CANALSGS Thomson Microelectronics
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