| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1162481 | STB15NM60ND | N-canal 600 V - 0,27 Ohm - 14 A - FDmesh II MOSFET de puissance D2PAK - MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1162482 | STB160N75F3 | N-canal 75 V, 3,2 mOhm typ., 120 A STripFET (TM) MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162483 | STB160NF02L | N-canal 20V - 0,0018 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 160A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162484 | STB160NF02L | N-canal 20V - 0,0018 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 160A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162485 | STB160NF03L | N-canal 30V 0,0021 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 160A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162486 | STB160NF03L | N-canal 30V 0,0021 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 160A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162487 | STB160NF3LL | N-canal 30V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 160A D2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162488 | STB160NF3LL | N-canal 30V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 160A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162489 | STB160NF3LLT4 | N-canal 30V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 160A D2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162490 | STB16N65M5 | N-canal 650 V, 0,230 Ohm, 12 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162491 | STB16NB25 | N - la MANCHE 250V - 0.220Ohm - 1Ã - Transistor MOSFET De To-263 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162492 | STB16NF06L | N-canal 60V - 0,07 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162493 | STB16NF06L | N-canal 60V - 0,07 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162494 | STB16NF06LT4 | N-canal 60V - 0,07 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162495 | STB16NK60Z-S | Le N-canal 600V - 0,38 Ohms - Le 1Â To-220/i2spak/To-247 Zener-A protégé SuperMESH™ Transistor MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162496 | STB16NK65Z-S | N-canal 650 V - 0,38 Ohms - 13 Un SuperMESH™ Zener-Protégé Par To-220/ispak; Transistor MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162497 | STB16NS25 | N-canal 250V - 0,23 OHMS - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De 1Ã D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162498 | STB16NS25 | Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm 1Ã D2PAK Du N-canal 250V 0,23 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162499 | STB16NS25T4 | N-canal 250V - 0,23 OHMS - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De 1Ã D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162500 | STB16PF06L | P-canal 60V - 0,11 Ohms - Transistor MOSFET De 1Ã D2PAK STripFET | ST Microelectronics |
| 1162501 | STB16PF06LT4 | P-canal 60V - 0,11 Ohms - Transistor MOSFET De 1Ã D2PAK STripFET | ST Microelectronics |
| 1162502 | STB170NF04 | N-canal 40 V, 4,4 mOhm typ., 80 A STripFET (TM) II MOSFET de puissance dans un paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162503 | STB185N55F3 | N-canal 55 V, 3,2 mOhm typ., 120 A STripFET (TM) MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162504 | STB18N20 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1162505 | STB18N20 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162506 | STB18N20 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162507 | STB18N55M5 | N-canal 550 V, 0,150 Ohm typ., 16 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162508 | STB18N60M2 | N-canal 600 V, 0,255 Ohm typ., 13 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162509 | STB18N65M5 | N-canal 650 V, 0,198 Ohm typ., 15 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162510 | STB18NF25 | N-canal 250 V, 0,14 Ohm, 17 A faible charge de grille STripFET (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162511 | STB18NF30 | Automobile qualité à canal N 330 V, 160 mOhm typ., 18 A STripFET (TM) II MOSFET de puissance dans un paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162512 | STB18NM60ND | N-canal 600 V, 0,25 Ohm typ., 13 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162513 | STB18NM80 | N-canal 800 V, 0,25 Ohm, 17 A, MDmesh (TM) MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162514 | STB190NF04 | N-canal 40V - mOhm 3,9 - transistor MOSFET de PUISSANCE de 120A D2pak/i2pak/to-220 STripFET II | ST Microelectronics |
| 1162515 | STB190NF04/-1 | N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - transistor MOSFET de PUISSANCEde 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II | ST Microelectronics |
| 1162516 | STB190NF04/-1 | N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - transistor MOSFET de PUISSANCEde 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II | ST Microelectronics |
| 1162517 | STB190NF04T4 | N-canal 40V - mOhm 3,9 - transistor MOSFET de PUISSANCE de 120A D2pak/i2pak/to-220 STripFET II | ST Microelectronics |
| 1162518 | STB19NB20 | N-canal 200V - 0,150 OHMS - Transistor MOSFET De 19A D2PAK POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1162519 | STB19NB20 | N-canal 200V - 0,150 OHMS - Transistor MOSFET De 19A D2PAK POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162520 | STB19NB20 | N - Transistor MOSFET De PowerMESH de MODE de PERFECTIONNEMENT de la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
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