| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 258801 | BF-U812RD | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258802 | BF-U813RD | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258803 | BF-U813RD | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258804 | BF-U814RD | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258805 | BF-U814RD | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258806 | BF-U815RD | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258807 | BF-U815RD | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258808 | BF-U815RE | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258809 | BF-U815RE | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258810 | BF-U816RD | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258811 | BF-U816RD | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258812 | BF-U81DRD | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258813 | BF-U81DRD | SINGOLE ESPOSIZIONI DI LED DELLA CIFRA | Yellow Stone Corp |
| 258814 | BF1005 | Rf-rf-mosfet - integrato in pieno influenzando rete, VDS=5v, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258815 | BF1005 | Tetrodo del MOSFET della N-Scanalatura del silicone (per rumore basso, l'input controllato di alto guadagno organizza fino alla rete diagonale stabilizzata integrata 5V di tensione di funzionamento del 1GHz) | Siemens |
| 258816 | BF1005R | Rf-rf-mosfet - integrato in pieno influenzando rete, VDS=5v, gfs=24mS, Gps=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258817 | BF1005S | Rf-rf-mosfet - integrato in pieno influenzando rete, VDS=5v, gfs=30mS, Gp=20dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258818 | BF1005S | Tetrodo del MOSFET della N-Scanalatura del silicone (per rumore basso, l'input controllato di alto guadagno organizza fino alla rete diagonale stabilizzata integrata 5V di tensione di funzionamento del 1GHz) | Siemens |
| 258819 | BF1005SR | Rf-rf-mosfet - integrato in pieno influenzando rete, VDS=5v, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258820 | BF1005SW | Tetrodo del Mosfet Della N-Scanalatura Del Silicone | Infineon |
| 258821 | BF1005W | Tetrodo del Mosfet Della N-Scanalatura Del Silicone | Infineon |
| 258822 | BF1009 | Tetrodo del MOSFET della N-Scanalatura del silicone per... | Infineon |
| 258823 | BF1009 | Tetrodo del MOSFET della N-Scanalatura del silicone (per rumore basso, l'alto guadagno ha controllato le fasi dell'input fino alla rete diagonale stabilizzata integrata V di tensione 9 di funzionamento del 1GHz | Siemens |
| 258824 | BF1009S | Rf-rf-mosfet - integrato in pieno influenzando rete, VDS=9v, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet a richiesta | Infineon |
| 258825 | BF1009S | Tetrodo del MOSFET della N-Scanalatura del silicone per... | Infineon |
| 258826 | BF1009S | Tetrodo del MOSFET della N-Scanalatura del silicone (per rumore basso, l'input controllato di alto guadagno organizza fino alla rete diagonale integrata 9V di tensione di funzionamento del 1GHz) | Siemens |
| 258827 | BF1009SR | Rf-rf-mosfet - integrato in pieno influenzando rete, VDS=9v, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet a richiesta | Infineon |
| 258828 | BF1012 | Tetrodo del MOSFET della N-Scanalatura del silicone (per rumore basso, l'alto guadagno ha controllato le fasi dell'input fino alla rete diagonale stabilizzata integrata 12V di tensione di funzionamento del 1GHz | Siemens |
| 258829 | BF1012S | Tetrodo del Mosfet Della N-Scanalatura Del Silicone | Infineon |
| 258830 | BF1012S | Tetrodo del MOSFET della N-Scanalatura del silicone (per rumore basso, l'input controllato di alto guadagno organizza fino alla rete diagonale stabilizzata integrata 5V di tensione di funzionamento del 1GHz) | Siemens |
| 258831 | BF1012W | TETRODO del MOSFET della N-scanalatura del SILICONE (per input a basso rumore e guadagn-controllato organizza fino a 1 gigahertz) | Siemens |
| 258832 | BF1100 | MOS-FETs Dual-gate | Philips |
| 258833 | BF1100 | MOSFET dual-gate a canale N | NXP Semiconductors |
| 258834 | BF1100R | MOS-FETs Dual-gate | Philips |
| 258835 | BF1100WR | Mos-fet Dual-gate | Philips |
| 258836 | BF1100WR | MOSFET dual-gate a canale N | NXP Semiconductors |
| 258837 | BF1101 | mOS-FETs dual-gate della N-scanalatura | Philips |
| 258838 | BF1101R | mOS-FETs dual-gate della N-scanalatura | Philips |
| 258839 | BF1101WR | mOS-FETs dual-gate della N-scanalatura | Philips |
| 258840 | BF1101WR | MOSFET dual-gate a canale N | NXP Semiconductors |
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