No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
567401 | IRF1010NSTRR | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567402 | IRF1010Z | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567403 | IRF1010ZL | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567404 | IRF1010ZS | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567405 | IRF1104 | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567406 | IRF1104L | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567407 | IRF1104PBF | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567408 | IRF1104S | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567409 | IRF1104STRL | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567410 | IRF1104STRR | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567411 | IRF120 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
567412 | IRF120 | 8.0A e 9.Ą/80V e 100V/0,27 e 0,36 Ohm/mOSFETs alimentazione/della N-Scanalatura | Intersil |
567413 | IRF120 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567414 | IRF120 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 32A di corrente. | General Electric Solid State |
567415 | IRF120-123 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
567416 | IRF121 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
567417 | IRF121 | 8.0A e 9.Ą/80V e 100V/0,27 e 0,36 Ohm/mOSFETs alimentazione/della N-Scanalatura | Intersil |
567418 | IRF121 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567419 | IRF121 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 32A di corrente. | General Electric Solid State |
567420 | IRF122 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
567421 | IRF122 | 8.0A e 9.Ą/80V e 100V/0,27 e 0,36 Ohm/mOSFETs alimentazione/della N-Scanalatura | Intersil |
567422 | IRF122 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567423 | IRF122 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 28A di corrente. | General Electric Solid State |
567424 | IRF123 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
567425 | IRF123 | 8.0A e 9.Ą/80V e 100V/0,27 e 0,36 Ohm/mOSFETs alimentazione/della N-Scanalatura | Intersil |
567426 | IRF123 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567427 | IRF123 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 28A di corrente. | General Electric Solid State |
567428 | IRF130 | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20āa | International Rectifier |
567429 | IRF130 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
567430 | IRF130 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
567431 | IRF130 | Mosfet Di Alimentazione Di 1Ā/100V/0,160 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
567432 | IRF130 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567433 | IRF130 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 56A di corrente. | General Electric Solid State |
567434 | IRF130-133 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
567435 | IRF1302 | 20V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567436 | IRF1302L | 20V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567437 | IRF1302S | 20V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567438 | IRF130SMD | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura PER LE APPLICAZIONI di HI.rel | SemeLAB |
567439 | IRF131 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
567440 | IRF131 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
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