| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 567841 | IRF400 | 50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATO | etc |
| 567842 | IRF4104 | 40V scelgono il MOSFET automobilistico di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567843 | IRF4104L | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567844 | IRF4104S | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567845 | IRF420 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567846 | IRF420 | 2.À e 2.Ä/450V e 500V/mOSFETs di alimentazione 3,0 e 4,0 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567847 | IRF420 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567848 | IRF420 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567849 | IRF420-423 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567850 | IRF421 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567851 | IRF421 | 2.À e 2.Ä/450V e 500V/mOSFETs di alimentazione 3,0 e 4,0 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567852 | IRF421 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567853 | IRF421 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567854 | IRF422 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567855 | IRF422 | 2.À e 2.Ä/450V e 500V/mOSFETs di alimentazione 3,0 e 4,0 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567856 | IRF422 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567857 | IRF422 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 567858 | IRF423 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567859 | IRF423 | 2.À e 2.Ä/450V e 500V/mOSFETs di alimentazione 3,0 e 4,0 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567860 | IRF423 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567861 | IRF423 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 567862 | IRF430 | 500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa | International Rectifier |
| 567863 | IRF430 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
| 567864 | IRF430 | Alimentazione A MOSFETs/4,5/450V/500v Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567865 | IRF430 | Mosfet Di Alimentazione 500V/Di 4.Ä/1,500 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567866 | IRF430 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567867 | IRF430 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567868 | IRF430-433 | Alimentazione A MOSFETs/4,5/450V/500v Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567869 | IRF431 | Alimentazione A MOSFETs/4,5/450V/500v Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567870 | IRF431 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567871 | IRF431 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567872 | IRF431 | 4.0A e 4.5A, 450V e 500V, 1.5 e 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567873 | IRF432 | Alimentazione A MOSFETs/4,5/450V/500v Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567874 | IRF432 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567875 | IRF432 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567876 | IRF432 | 4.0A e 4.5A, 450V e 500V, 1.5 e 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567877 | IRF433 | Alimentazione A MOSFETs/4,5/450V/500v Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567878 | IRF433 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567879 | IRF433 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567880 | IRF433 | 4.0A e 4.5A, 450V e 500V, 1.5 e 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
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