| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 568001 | IRF530A | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568002 | IRF530F1 | MOSFET a canale N, 100v, 9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568003 | IRF530FI | N - TRANSISTORE Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | SGS Thomson Microelectronics |
| 568004 | IRF530FI | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SGS Thomson Microelectronics |
| 568005 | IRF530FI | N - TRANSISTORE Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | ST Microelectronics |
| 568006 | IRF530FP | N - TRANSISTORE Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | SGS Thomson Microelectronics |
| 568007 | IRF530FP | N - TRANSISTORE Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | ST Microelectronics |
| 568008 | IRF530L | Alimentazione MOSFET(Vdss=100V/Rds(on)=0.11ohm/Id=17A) | International Rectifier |
| 568009 | IRF530N | transistore di TrenchMOS(tm) della N-scanalatura | Philips |
| 568010 | IRF530N | 2À, 100V, 0,064 Ohm, N-Scanalatura, Mosfet Di Alimentazione | Fairchild Semiconductor |
| 568011 | IRF530N | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568012 | IRF530N | Mosfet Di Alimentazione 100V/Di 2À/0,064 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 568013 | IRF530NL | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 568014 | IRF530NLPBF | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 568015 | IRF530NPBF | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568016 | IRF530NS | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568017 | IRF530NSPBF | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568018 | IRF530NSTRL | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568019 | IRF530NSTRR | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568020 | IRF530PBF | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568021 | IRF530S | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568022 | IRF530STRL | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568023 | IRF530STRR | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568024 | IRF531 | TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di ALIMENTAZIONE della PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura TMOS | Motorola |
| 568025 | IRF531 | FETs Verticali Di Alimentazione Di Aumento-Modo DMOS Della N-Scanalatura | Supertex Inc |
| 568026 | IRF531 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 568027 | IRF531 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 568028 | IRF531 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 14A. | General Electric Solid State |
| 568029 | IRF531 | MOSFET a canale N, 80V, 14A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568030 | IRF531F1 | MOSFET a canale N, 80V, 9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568031 | IRF531FI | TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTODella MANICA Di N | ST Microelectronics |
| 568032 | IRF531FI | TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTODella MANICA Di N | ST Microelectronics |
| 568033 | IRF532 | TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di ALIMENTAZIONE della PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura TMOS | Motorola |
| 568034 | IRF532 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 568035 | IRF532 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 568036 | IRF532 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 568037 | IRF532 | MOSFET a canale N, 100v, 12A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568038 | IRF532F1 | MOSFET a canale N, 100v, 8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568039 | IRF532FI | TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTODella MANICA Di N | ST Microelectronics |
| 568040 | IRF532FI | TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTODella MANICA Di N | ST Microelectronics |
| | | |
