| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 568121 | IRF5N4905 | -55V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-1 | International Rectifier |
| 568122 | IRF5N5210 | -100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-2 | International Rectifier |
| 568123 | IRF5NJ3315 | 150V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568124 | IRF5NJ5305 | -55V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568125 | IRF5NJ540 | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchettoSMD-0.5 | International Rectifier |
| 568126 | IRF5NJ6215 | -150V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568127 | IRF5NJ9540 | -100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568128 | IRF5NJZ34 | 55V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568129 | IRF5NJZ48 | 55V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568130 | IRF5Y1310CM | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 568131 | IRF5Y31N20 | 200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 568132 | IRF5Y3205CM | 55V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 568133 | IRF5Y3315CM | 150V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 568134 | IRF5Y3710CM | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 568135 | IRF5Y5305CM | -55V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 568136 | IRF5Y540CM | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 568137 | IRF5Y6215CM | -150V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 568138 | IRF5Y9540CM | -100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 568139 | IRF5YZ48CM | 55V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-257aa | International Rectifier |
| 568140 | IRF610 | 3.Á, 200V, 1,500 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568141 | IRF610 | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568142 | IRF610 | Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 3.Á/1,500 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 568143 | IRF610 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568144 | IRF610-613 | MOSFETs/3.Ä/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568145 | IRF6100 | -20V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di 4-Lead FlipFET | International Rectifier |
| 568146 | IRF6100TR | -20V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di 4-Lead FlipFET | International Rectifier |
| 568147 | IRF610B | Mosfet Della N-Scanalatura 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568148 | IRF610B_FP001 | B-b-fet della N-Scanalatura 200V/sostituto di IRF610 & di IRF610A | Fairchild Semiconductor |
| 568149 | IRF610PBF | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568150 | IRF610S | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568151 | IRF610STRL | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568152 | IRF610STRR | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568153 | IRF611 | MOSFETs/3.Ä/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568154 | IRF611 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568155 | IRF612 | MOSFETs/3.Ä/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568156 | IRF612 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568157 | IRF613 | MOSFETs/3.Ä/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568158 | IRF613 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568159 | IRF614 | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568160 | IRF614 | Mosfet Di Alimentazione 250V/Di 2.0A/2,0 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
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