| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 567921 | IRF500 | 50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATO | etc |
| 567922 | IRF500C10RJ | 50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATO | etc |
| 567923 | IRF500C10RJ | 50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATO | etc |
| 567924 | IRF510 | 5.Ã, 100V, 0,540 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567925 | IRF510 | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567926 | IRF510 | FETs Verticali Di Alimentazione Di Aumento-Modo DMOS Della N-Scanalatura | Supertex Inc |
| 567927 | IRF510 | Mosfet Di Alimentazione 100V/Di 5.Ã/0,540 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567928 | IRF510 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567929 | IRF510 | MOSFET di potenza a canale N, 100V, 5.6A | Harris Semiconductor |
| 567930 | IRF510-513 | Alimentazione A MOSFETs/5,5/60-100V Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567931 | IRF510A | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567932 | IRF510S | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567933 | IRF510STRL | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567934 | IRF510STRR | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567935 | IRF511 | FETs Verticali Di Alimentazione Di Aumento-Modo DMOS Della N-Scanalatura | Supertex Inc |
| 567936 | IRF511 | Alimentazione A MOSFETs/5,5/60-100V Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567937 | IRF511 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567938 | IRF511 | MOSFET di potenza a canale N, 80V, 5.6A | Harris Semiconductor |
| 567939 | IRF512 | FETs Verticali Di Alimentazione Di Aumento-Modo DMOS Della N-Scanalatura | Supertex Inc |
| 567940 | IRF512 | Alimentazione A MOSFETs/5,5/60-100V Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567941 | IRF512 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567942 | IRF512 | MOSFET di potenza a canale N, 100V, 4.9A | Harris Semiconductor |
| 567943 | IRF513 | FETs Verticali Di Alimentazione Di Aumento-Modo DMOS Della N-Scanalatura | Supertex Inc |
| 567944 | IRF513 | Alimentazione A MOSFETs/5,5/60-100V Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567945 | IRF513 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567946 | IRF513 | MOSFET di potenza a canale N, 80V, 4.9A | Harris Semiconductor |
| 567947 | IRF520 | 9.À, 100V, 0,270 Ohm, Caratteristiche del Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567948 | IRF520 | N-scanalatura 100V - 0,115 OHM - Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET II del CANCELLO Di 10A To-220 | ST Microelectronics |
| 567949 | IRF520 | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567950 | IRF520 | N - TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | SGS Thomson Microelectronics |
| 567951 | IRF520 | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SGS Thomson Microelectronics |
| 567952 | IRF520 | N - FETs VERTICALI di ALIMENTAZIONE di MODO DMOS di AUMENTO della MANICA | Supertex Inc |
| 567953 | IRF520 | Mosfet Di Alimentazione 100V/Di 9.À/0,270 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567954 | IRF520A | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567955 | IRF520FI | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SGS Thomson Microelectronics |
| 567956 | IRF520FI | N - TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | SGS Thomson Microelectronics |
| 567957 | IRF520FI | N - TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | ST Microelectronics |
| 567958 | IRF520L | Alimentazione MOSFET(Vdss=100V/Rds(on)=0.20ohm/Id=9.7A) | International Rectifier |
| 567959 | IRF520N | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567960 | IRF520NL | HEXFET MOSFET di potenza. VDSS = 100 V, RDS (on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A | International Rectifier |
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