No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
568161 | IRF614B | Mosfet Della N-Scanalatura 250V | Fairchild Semiconductor |
568162 | IRF614B_FP001 | B-b-fet della N-Scanalatura 250V/sostituto di IRF614 & di IRF61Â | Fairchild Semiconductor |
568163 | IRF614PBF | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
568164 | IRF614S | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
568165 | IRF6150 | -20V si raddoppiano MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di 16-Lead FlipFET | International Rectifier |
568166 | IRF6156 | 20V si raddoppiano MOSFET N-Bidirezionale di alimentazione di HEXFET in un 6-Lead FlipFET | International Rectifier |
568167 | IRF620 | 5.0A, 200V, 0,800 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
568168 | IRF620 | VECCHIO PRODUCT:not ADATTO A NUOVO Progett-in | ST Microelectronics |
568169 | IRF620 | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
568170 | IRF620 | N - TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | SGS Thomson Microelectronics |
568171 | IRF620 | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SGS Thomson Microelectronics |
568172 | IRF620 | Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 5.0A/0,800 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
568173 | IRF620 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
568174 | IRF620B | Mosfet Della N-Scanalatura 200V | Fairchild Semiconductor |
568175 | IRF620B_FP001 | B-b-fet della N-Scanalatura 200V/sostituto di IRF620 & di IRF620A | Fairchild Semiconductor |
568176 | IRF620FI | VECCHIO PRODUCT:not ADATTO A NUOVO Progett-in | ST Microelectronics |
568177 | IRF620FI | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SGS Thomson Microelectronics |
568178 | IRF620FI | N - TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | SGS Thomson Microelectronics |
568179 | IRF620PBF | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
568180 | IRF620S | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
568181 | IRF620STRL | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
568182 | IRF620STRR | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
568183 | IRF621 | MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
568184 | IRF621 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
568185 | IRF6215 | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
568186 | IRF6215L | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
568187 | IRF6215PBF | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
568188 | IRF6215S | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
568189 | IRF6215STRL | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
568190 | IRF6215STRR | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
568191 | IRF6216 | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
568192 | IRF6216TR | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
568193 | IRF6217 | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
568194 | IRF6217TR | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
568195 | IRF6218 | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
568196 | IRF6218L | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
568197 | IRF6218S | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2Pak | International Rectifier |
568198 | IRF622 | MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
568199 | IRF622 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
568200 | IRF623 | MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
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