| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 568161 | IRF614B | Mosfet Della N-Scanalatura 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568162 | IRF614B_FP001 | B-b-fet della N-Scanalatura 250V/sostituto di IRF614 & di IRF61Â | Fairchild Semiconductor |
| 568163 | IRF614PBF | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568164 | IRF614S | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568165 | IRF6150 | -20V si raddoppiano MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di 16-Lead FlipFET | International Rectifier |
| 568166 | IRF6156 | 20V si raddoppiano MOSFET N-Bidirezionale di alimentazione di HEXFET in un 6-Lead FlipFET | International Rectifier |
| 568167 | IRF620 | 5.0A, 200V, 0,800 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568168 | IRF620 | VECCHIO PRODUCT:not ADATTO A NUOVO Progett-in | ST Microelectronics |
| 568169 | IRF620 | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568170 | IRF620 | N - TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | SGS Thomson Microelectronics |
| 568171 | IRF620 | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SGS Thomson Microelectronics |
| 568172 | IRF620 | Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 5.0A/0,800 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 568173 | IRF620 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 568174 | IRF620B | Mosfet Della N-Scanalatura 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568175 | IRF620B_FP001 | B-b-fet della N-Scanalatura 200V/sostituto di IRF620 & di IRF620A | Fairchild Semiconductor |
| 568176 | IRF620FI | VECCHIO PRODUCT:not ADATTO A NUOVO Progett-in | ST Microelectronics |
| 568177 | IRF620FI | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SGS Thomson Microelectronics |
| 568178 | IRF620FI | N - TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | SGS Thomson Microelectronics |
| 568179 | IRF620PBF | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568180 | IRF620S | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568181 | IRF620STRL | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568182 | IRF620STRR | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568183 | IRF621 | MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568184 | IRF621 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 568185 | IRF6215 | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568186 | IRF6215L | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 568187 | IRF6215PBF | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568188 | IRF6215S | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568189 | IRF6215STRL | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568190 | IRF6215STRR | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568191 | IRF6216 | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
| 568192 | IRF6216TR | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
| 568193 | IRF6217 | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
| 568194 | IRF6217TR | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
| 568195 | IRF6218 | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568196 | IRF6218L | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 568197 | IRF6218S | -150V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2Pak | International Rectifier |
| 568198 | IRF622 | MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568199 | IRF622 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 568200 | IRF623 | MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| | | |
