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Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorMOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF220, IRF222, IRF622, IRF621, IRF220-223, 		Scarica IRF223 datasheet de
Fairchild Semiconductor		 pdf
170 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Intersil4.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF221, 		Scarica IRF223 datasheet de
Intersil		 pdf
73 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF223 datasheet de
Samsung Electronic		 pdf
214 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A. Scarica IRF223 datasheet de
General Electric Solid State		 pdf
166 kb
IRF222Vista IRF223 al nostro catalogoIRF224



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