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Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A.

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF223, IRF222, IRF221,
Scarica IRF220 datasheet de
General Electric Solid State
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166 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorMOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF622, IRF621, IRF220-223, IRF623,
Scarica IRF220 datasheet de
Fairchild Semiconductor
pdf
170 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Intersil4.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-Scanalatura Scarica IRF220 datasheet de
Intersil
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73 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF220 datasheet de
Samsung Electronic
pdf
214 kb
IRF200S100RJVista IRF220 al nostro catalogoIRF220-223



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