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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
8601M470L3324BTU0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8602M470L3324BTU0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8603M470L3324BTU0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8604M470L3324BTU0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8605M470L3324BTU0-CLCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8606M470L3324BTU0-CLCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8607M470L3324CU0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb C-muoreSamsung Electronic
8608M470L3324CU0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb C-muoreSamsung Electronic
8609M470L3324CU0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb C-muoreSamsung Electronic
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8622M470L3324CU0-LCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb C-muoreSamsung Electronic
8623M470L6423CK064Mx64 200pin DDR SDRAM SODIMM basati sul foglio di dati di DDP 64Mx8Samsung Electronic
8624M470L6423EN512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
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8626M470L6423EN0-A2512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
8627M470L6423EN0-A2512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
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8630M470L6423EN0-CB3512MB SODIMM(based non tamponato su sTSOP)Samsung Electronic
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8637M470L6524BT0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8638M470L6524BT0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8639M470L6524BT0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
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8658M470L6524BTU0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
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8684M470T2953BS0-CD5/CC200pin SODIMM non tamponato basati su 512Mb B-muoiono 64bit Non-ECCSamsung Electronic
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8700M470T2953CZ0DDR2 SODIMM Non tamponatoSamsung Electronic

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