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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
6501KM48V2100BKL-62M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6502KM48V2100BKL-72M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6503KM48V2100BS-52M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6504KM48V2100BS-62M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6505KM48V2100BS-72M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6506KM48V2100BSL-52M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6507KM48V2100BSL-62M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6508KM48V2100BSL-72M x 8bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6509KM48V8004BRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
6510KM48V8004BK-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6511KM48V8004BK-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6512KM48V8004BK-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6513KM48V8004BKL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6514KM48V8004BKL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6515KM48V8004BKL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6516KM48V8004BS-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6517KM48V8004BS-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6518KM48V8004BS-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6519KM48V8004BSL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6520KM48V8004BSL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6521KM48V8004BSL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6522KM48V8004CRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
6523KM48V8004CK-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6524KM48V8004CK-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6525KM48V8004CK-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6526KM48V8004CKL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6527KM48V8004CKL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6528KM48V8004CKL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6529KM48V8004CS-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6530KM48V8004CS-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6531KM48V8004CS-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6532KM48V8004CSL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6533KM48V8004CSL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6534KM48V8004CSL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6535KM48V8104BRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
6536KM48V8104BK-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6537KM48V8104BK-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6538KM48V8104BK-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6539KM48V8104BKL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6540KM48V8104BKL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6541KM48V8104BKL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6542KM48V8104BS-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6543KM48V8104BS-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6544KM48V8104BS-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6545KM48V8104BSL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6546KM48V8104BSL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6547KM48V8104BSL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6548KM48V8104CRAM dinamica di 8M x 8bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
6549KM48V8104CK-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6550KM48V8104CK-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6551KM48V8104CK-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6552KM48V8104CKL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6553KM48V8104CKL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6554KM48V8104CKL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6555KM48V8104CS-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6556KM48V8104CS-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6557KM48V8104CS-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic



6558KM48V8104CSL-458M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
6559KM48V8104CSL-58M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
6560KM48V8104CSL-68M x 8bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
6561KM6110011Bit CMOS ad alta velocitą SRAM del 1M xSamsung Electronic
6562KM611001L1Bit CMOS ad alta velocitą SRAM del 1M xSamsung Electronic
6563KM6161002ACMOS SRAMSamsung Electronic
6564KM6161002BCMOS SRAMSamsung Electronic
6565KM6161002CCMOS SRAMSamsung Electronic
6566KM6164000BRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 256Kx16Samsung Electronic
6567KM6164000BL-LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 256Kx16Samsung Electronic
6568KM6164000BLI-LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 256Kx16Samsung Electronic
6569KM6164000BLR-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 256Kx16Samsung Electronic
6570KM6164000BLR-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 256Kx16Samsung Electronic
6571KM6164000BLRI-10LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 256Kx16Samsung Electronic
6572KM6164000BLRI-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 256Kx16Samsung Electronic
6573KM6164000BLT-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 256Kx16Samsung Electronic
6574KM6164000BLT-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 256Kx16Samsung Electronic
6575KM6164000BLTI-10LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 256Kx16Samsung Electronic
6576KM6164000BLTI-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 256Kx16Samsung Electronic
6577KM6164002CMOS SRAMSamsung Electronic
6578KM6164002ECMOS SRAMSamsung Electronic
6579KM6164002ICMOS SRAMSamsung Electronic
6580KM616FS4110ZI-10100ns; V (cc): da -2 a + 3V; 1W; 256K x 16 bit super-bassa potenza e bassa tensione completo di RAM CMOS staticaSamsung Electronic
6581KM616FS4110ZI-770ns; V (cc): da -2 a + 3V; 1W; 256K x 16 bit super-bassa potenza e bassa tensione completo di RAM CMOS staticaSamsung Electronic
6582KM62256RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6583KM62256CRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6584KM62256C FAMILYRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6585KM62256CLRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6586KM62256CLG-4RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6587KM62256CLG-4LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6588KM62256CLG-5RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6589KM62256CLG-5RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6590KM62256CLG-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6591KM62256CLG-5LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6592KM62256CLG-7RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6593KM62256CLG-7RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6594KM62256CLG-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6595KM62256CLG-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6596KM62256CLGE-10RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6597KM62256CLGE-10LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6598KM62256CLGE-7RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6599KM62256CLGE-7RAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic
6600KM62256CLGE-7LRAM bassa di elettricitą statica di CMOS di alimentazione della punta 32Kx8Samsung Electronic

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