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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
5801KM416C1204CJ-501m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50ns, VCC = 5.0V, periodo di aggiornamento = 16 msSamsung Electronic
5802KM416C1204CJ-65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
5803KM416C1204CJ-601m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60ns, VCC = 5.0V, periodo di aggiornamento = 16 msSamsung Electronic
5804KM416C1204CJ-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
5805KM416C1204CJ-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
5806KM416C1204CJ-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
5807KM416C1204CJL-451m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45ns, VCC = 5.0V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5808KM416C1204CJL-501m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50ns, VCC = 5.0V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5809KM416C1204CJL-601m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60ns, VCC = 5.0V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5810KM416C1204CT-455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
5811KM416C1204CT-55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
5812KM416C1204CT-501m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50ns, VCC = 5.0V, periodo di aggiornamento = 16 msSamsung Electronic
5813KM416C1204CT-65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
5814KM416C1204CT-601m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60ns, VCC = 5.0V, periodo di aggiornamento = 16 msSamsung Electronic
5815KM416C1204CT-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 45nsSamsung Electronic
5816KM416C1204CT-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
5817KM416C1204CT-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
5818KM416C1204CTL-451m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45ns, VCC = 5.0V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5819KM416C1204CTL-501m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50ns, VCC = 5.0V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5820KM416C1204CTL-601m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60ns, VCC = 5.0V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5821KM416C254DRAM dinamica di 16Bit x di 256K CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
5822KM416C254DJ-5256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 50ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
5823KM416C254DJ-6256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 60ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
5824KM416C254DJ-7256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 70 ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
5825KM416C254DJL-5256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 50ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5826KM416C254DJL-6256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 60ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5827KM416C254DJL-7256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 70ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5828KM416C254DT-5256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 50ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
5829KM416C254DT-6256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 60ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
5830KM416C254DT-7256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 70 ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
5831KM416C254DTL-5256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 50ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5832KM416C254DTL-6256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 60ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5833KM416C254DTL-7256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 5.0V, 70ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5834KM416C256DRAM dinamica di 16Bit x di 256K CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
5835KM416C256DJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 50ns, 5VSamsung Electronic
5836KM416C256DJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 60ns, 5VSamsung Electronic
5837KM416C256DJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 70ns, 5VSamsung Electronic
5838KM416C256DLJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 50ns, 5V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5839KM416C256DLJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 60ns, 5V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5840KM416C256DLJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 70ns, 5V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5841KM416C256DLT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 50ns, 5V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5842KM416C256DLT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 60ns, 5V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5843KM416C256DLT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 70ns, 5V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
5844KM416C256DT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 50ns, 5VSamsung Electronic
5845KM416C256DT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 60ns, 5VSamsung Electronic
5846KM416C256DT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 70ns, 5VSamsung Electronic
5847KM416C4000BRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
5848KM416C4000BS-454M x 16Bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 8K di aggiornamento, 45nsSamsung Electronic
5849KM416C4000BS-54M x 16Bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 8K di aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
5850KM416C4000BS-64M x 16Bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 8K di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
5851KM416C4000CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
5852KM416C4000CS-54M x 16Bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 8K di aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
5853KM416C4000CS-64M x 16Bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 8K di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
5854KM416C4004CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
5855KM416C4004CS-54M x 16Bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 5V, 8K di aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
5856KM416C4004CS-64M x 16Bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 5V, 8K di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
5857KM416C4100BRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic



5858KM416C4100BS-454M x 16Bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 4K aggiornamento, 45nsSamsung Electronic
5859KM416C4100BS-54M x 16Bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 4K aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
5860KM416C4100BS-64M x 16Bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 4K aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
5861KM416C4100CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
5862KM416C4100CS-54M x 16Bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 4K aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
5863KM416C4100CS-64M x 16Bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 4K aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
5864KM416C4104CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
5865KM416C4104CS-54M x 16Bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 5V, 4K di aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
5866KM416C4104CS-64M x 16Bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 5V, 4K di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
5867KM416L8031BT128CMb DDR SDRAMSamsung Electronic
5868KM416L8031BT-F0128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 100 MHz, 10ns velocitą.Samsung Electronic
5869KM416L8031BT-FY128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, 7.5ns velocitą.Samsung Electronic
5870KM416L8031BT-FZ128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, 7.5ns velocitą.Samsung Electronic
5871KM416L8031BT-G(F)0Versione 0,61 Di Specifica di DDR SDRAMSamsung Electronic
5872KM416L8031BT-G(F)YVersione 0,61 Di Specifica di DDR SDRAMSamsung Electronic
5873KM416L8031BT-G(F)ZVersione 0,61 Di Specifica di DDR SDRAMSamsung Electronic
5874KM416L8031BT-G(L)0Versione 1,0 Di Specifica di DDR SDRAMSamsung Electronic
5875KM416L8031BT-G(L)YVersione 1,0 Di Specifica di DDR SDRAMSamsung Electronic
5876KM416L8031BT-G(L)ZVersione 1,0 Di Specifica di DDR SDRAMSamsung Electronic
5877KM416L8031BT-G0128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 100 MHz, 10ns velocitą.Samsung Electronic
5878KM416L8031BT-GY128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, velocitą di 7,5 ns.Samsung Electronic
5879KM416L8031BT-GZ128 Mb DDR SDRAM. Versione 0.61, freq di funzionamento. 133 MHz, velocitą di 7,5 ns.Samsung Electronic
5880KM416RD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5881KM416RD16AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5882KM416RD16AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5883KM416RD16C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5884KM416RD2AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5885KM416RD2AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5886KM416RD2C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5887KM416RD2D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5888KM416RD32AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5889KM416RD32AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5890KM416RD32C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5891KM416RD32D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5892KM416RD4AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5893KM416RD4AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5894KM416RD4C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5895KM416RD4D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5896KM416RD8AC128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
5897KM416RD8AC(D)-RK70128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5898KM416RD8AC(D)-RK80128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5899KM416RD8AC(DB)-RCG60128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
5900KM416RD8AC-RG60256K x 16 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 53.3 ns, velocitą: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic

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