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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
8501M470L1713CT016Mx64 200pin DDR SDRAM SODIMM basati sul foglio di dati 16Mx8Samsung Electronic
8502M470L1714BT016Mx64 200pin DDR SDRAM SODIMM basati sul foglio di dati 8Mx16Samsung Electronic
8503M470L2923BN0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8504M470L2923BN0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8505M470L2923BN0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8506M470L2923BN0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8507M470L2923BN0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8508M470L2923BN0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8509M470L2923BN0-CCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8510M470L2923BN0-CCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8511M470L2923BN0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8512M470L2923BN0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8513M470L2923BN0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
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8521M470L2923BNV0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
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8529M470L2923BNV0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8530M470L2923BNV0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8531M470L2923BNV0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8532M470L2923BNV0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8533M470L2923BNV0-CLCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8534M470L2923BNV0-CLCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8535M470L3223BT032Mx64 200pin DDR SDRAM SODIMM basati sul foglio di dati 32Mx8Samsung Electronic
8536M470L3223DT0MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
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8549M470L3223DT0-CLA2MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8550M470L3223DT0-CLB0MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8551M470L3223DT0-CLB0MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
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8553M470L3223DT0-CLB3MODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8554M470L3224BT032Mx64 200pin DDR SDRAM SODIMM basati sul foglio di dati 32Mx8Samsung Electronic
8555M470L3224BTOMODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8556M470L3224BTOMODULO DI 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8557M470L3224FT0DDR SDRAM SODIMMSamsung Electronic



8558M470L3224FT0DDR SDRAM SODIMMSamsung Electronic
8559M470L3224FT0-CA2DDR SDRAM SODIMMSamsung Electronic
8560M470L3224FT0-CA2DDR SDRAM SODIMMSamsung Electronic
8561M470L3224FT0-CB0DDR SDRAM SODIMMSamsung Electronic
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8565M470L3224FU0DDR SDRAM SODIMMSamsung Electronic
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8569M470L3224FU0-CB0DDR SDRAM SODIMMSamsung Electronic
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8571M470L3224FU0-CB3DDR SDRAM SODIMMSamsung Electronic
8572M470L3224FU0-CB3DDR SDRAM SODIMMSamsung Electronic
8573M470L3324BTIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8574M470L3324BTIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8575M470L3324BT0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8576M470L3324BT0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8577M470L3324BT0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8578M470L3324BT0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8579M470L3324BT0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8580M470L3324BT0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8581M470L3324BT0-CCCIl perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
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8584M470L3324BT0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8585M470L3324BT0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8586M470L3324BT0-CLB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8587M470L3324BT0-CLB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
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8592M470L3324BTU0-CA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
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8594M470L3324BTU0-CB0Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8595M470L3324BTU0-CB3Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
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8599M470L3324BTU0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic
8600M470L3324BTU0-CLA2Il perno non tamponato 4 modulo non tamponato del modulo 18 di DDR SDRAM basato su 512Mb B-muoreSamsung Electronic

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