| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 2001 | NTE5529 | redresseur commandé au silicium (SCR), 25A. Répétitive crête et la tension inverse VDRM, Vrrm = 600V. RMS actuels forard TI (RMS) = 25A. | NTE Electronics |
| 2002 | NTE553 | Diode De Barrière De Schottky | NTE Electronics |
| 2003 | NTE5530 | redresseur commandé au silicium (SCR), 25A. Répétitive crête et la tension inverse VDRM, Vrrm = 700V. RMS actuels forard TI (RMS) = 25A. | NTE Electronics |
| 2004 | NTE5531 | Le Silicium A commandé Le Redresseur (Thyristor), 2Ä | NTE Electronics |
| 2005 | NTE5536 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) | NTE Electronics |
| 2006 | NTE5538 | Le Silicium A commandé Le Redresseur (Thyristor) 800VDRM, 50A | NTE Electronics |
| 2007 | NTE5539 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 55 Ampères | NTE Electronics |
| 2008 | NTE5540 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 55 Ampères | NTE Electronics |
| 2009 | NTE5541 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 35 Ampères | NTE Electronics |
| 2010 | NTE5542 | redresseur commandé au silicium (SCR). De pointe répétitive à l'état bloqué et la tension inverse VDRM, Vrrm = 100V. RMS sur l'état actuel 35A. | NTE Electronics |
| 2011 | NTE5543 | redresseur commandé au silicium (SCR). De pointe répétitive à l'état bloqué et la tension inverse VDRM, Vrrm = 200V. RMS sur l'état actuel 35A. | NTE Electronics |
| 2012 | NTE5544 | redresseur commandé au silicium (SCR). De pointe répétitive à l'état bloqué et la tension inverse VDRM, Vrrm = 300V. RMS sur l'état actuel 35A. | NTE Electronics |
| 2013 | NTE5545 | redresseur commandé au silicium (SCR). De pointe répétitive à l'état bloqué et la tension inverse VDRM, Vrrm = 400V. RMS sur l'état actuel 35A. | NTE Electronics |
| 2014 | NTE5546 | redresseur commandé au silicium (SCR). De pointe répétitive à l'état bloqué et la tension inverse VDRM, Vrrm = 500V. RMS sur l'état actuel 35A. | NTE Electronics |
| 2015 | NTE5547 | redresseur commandé au silicium (SCR). De pointe répétitive à l'état bloqué et la tension inverse VDRM, Vrrm = 600V. RMS sur l'état actuel 35A. | NTE Electronics |
| 2016 | NTE5548 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 35 Ampères | NTE Electronics |
| 2017 | NTE555 | Détecteur De la Diode UHF/vhf De Goupille De Silicium | NTE Electronics |
| 2018 | NTE5550 | Redresseurs Commandés De Silicium | NTE Electronics |
| 2019 | NTE5552 | Redresseur commandé au silicium. Pic tension de blocage inverse Vrrm = 200V. 25A courant direct. | NTE Electronics |
| 2020 | NTE5554 | Redresseur commandé au silicium. Pic tension de blocage inverse Vrrm = 400V. 25A courant direct. | NTE Electronics |
| 2021 | NTE5556 | Redresseur commandé au silicium. Pic tension de blocage inverse Vrrm = 600V. 25A courant direct. | NTE Electronics |
| 2022 | NTE5558 | Redresseurs Commandés De Silicium | NTE Electronics |
| 2023 | NTE555A | Commutateur De Bande de VHF De Diode De Goupille De Silicium | NTE Electronics |
| 2024 | NTE5562 | Redresseurs Commandés De Silicium (SCR¯s) | NTE Electronics |
| 2025 | NTE5564 | Redresseurs Commandés De Silicium (SCR¯s) | NTE Electronics |
| 2026 | NTE5566 | Redresseurs Commandés De Silicium (SCR¯s) | NTE Electronics |
| 2027 | NTE5567 | Redresseur commandé de silicium (thyristor) pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2028 | NTE5568 | Redresseur commandé de silicium (thyristor) pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2029 | NTE5569 | Redresseur commandé de silicium (thyristor) pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2030 | NTE5570 | Redresseur commandé de silicium pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2031 | NTE5571 | Redresseur commandé de silicium (thyristor) pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2032 | NTE5572 | Redresseur commandé de silicium pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2033 | NTE5574 | Redresseur commandé de silicium pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2034 | NTE5575 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 125 Ampères | NTE Electronics |
| 2035 | NTE5576 | Redresseur Commandé De Silicium | NTE Electronics |
| 2036 | NTE5577 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 125 Ampères | NTE Electronics |
| 2037 | NTE5578 | Redresseur Commandé De Silicium | NTE Electronics |
| 2038 | NTE5579 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 125 Ampères | NTE Electronics |
| 2039 | NTE558 | Redresseur De Silicium Tout usage | NTE Electronics |
| 2040 | NTE5580 | Redresseur commandé de silicium pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2041 | NTE5582 | Rectiifier silicium commandé pour des applications de commande de phase. De pointe répétitive à l'état bloqué et la tension inverse VDRM, Vrrm = 600V. Max RMS courant à l'état passant (rms) Il = 235A. | NTE Electronics |
| 2042 | NTE5584 | Rectiifier silicium commandé pour des applications de commande de phase. De pointe répétitive à l'état bloqué et la tension inverse VDRM, Vrrm = 1200V. Max RMS courant à l'état passant (rms) Il = 235A. | NTE Electronics |
| 2043 | NTE5585 | Redresseur commandé de silicium pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2044 | NTE5586 | Redresseur commandé de silicium pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2045 | NTE5587 | Redresseur commandé de silicium pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2046 | NTE5588 | Redresseur commandé de silicium pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2047 | NTE5589 | Redresseur commandé de silicium pour des applications de commande de phase | NTE Electronics |
| 2048 | NTE5590 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 470 Ampères | NTE Electronics |
| 2049 | NTE5591 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 470 Ampères | NTE Electronics |
| 2050 | NTE5592 | Redresseur Commandé De Silicium (Thyristor) 470 Ampères | NTE Electronics |
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