|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 6337 | 6338 | 6339 | 6340 | 6341 | 6342 | 6343 | 6344 | 6345 | 6346 | 6347 | >>
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
253641BCR108L3E6327Transistor de Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47Infineon
253642BCR108SDisposição do transistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador)Siemens
253643BCR108STransistor De Digital Do Silicone de NPNInfineon
253644BCR108S E6327Transistor Internos Duplos do Af Do Resistor; 2xNPN; Tipos industriais de Standars, Icmax de 100mA; Vceo de 50VInfineon
253645BCR108SE6327Transistor de Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = 47 kOhm SOT363Infineon
253646BCR108TÚnicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SC75Infineon
253647BCR108TE6327Transistor De Digital - R1 = 2,2kOhm; R2 = 47kOhmInfineon
253648BCR108WTransistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador)Siemens
253649BCR108WÚnicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SOT323Infineon
253650BCR108WE6327Transistor de Digital - kOhm R1=2.2; KOhm R2=47Infineon
253651BCR10CMTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253652BCR10CMVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 10Powerex Power Semiconductors
253653BCR10CM-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253654BCR10CM-12Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 10Powerex Power Semiconductors
253655BCR10CM-12LVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 10Powerex Power Semiconductors
253656BCR10CM-8Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253657BCR10CM-8Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 10Powerex Power Semiconductors
253658BCR10CM-8LVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 10Powerex Power Semiconductors
253659BCR10CSMódulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation



253660BCR10CSTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253661BCR10CSTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER, TIPO PLANAR DO PASSIVATIONPowerex Power Semiconductors
253662BCR10PMMódulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253663BCR10PMTIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253664BCR10PMVolts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 10Powerex Power Semiconductors
253665BCR10PM-12Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 10Powerex Power Semiconductors
253666BCR10PM-12LVolts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 10Powerex Power Semiconductors
253667BCR10PM-8Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 10Powerex Power Semiconductors
253668BCR10PM-8LVolts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 10Powerex Power Semiconductors
253669BCR10PNTransistor de Digital - pacote SOT363Infineon
253670BCR10PNDisposição de Digital Tansistor do silicone de NPN/PNP (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito de movimentação)Siemens
253671BCR10UMTIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253672BCR112Transistor de Digital - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7Infineon
253673BCR112Transistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito do inferface, circuito do excitador)Siemens
253674BCR112FÚnicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSFP-3Infineon
253675BCR112FE6327Transistor de Digital - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7Infineon
253676BCR112L3Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSLP-3Infineon
253677BCR112L3E6327Transistor de Digital - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7Infineon
253678BCR112TÚnicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SC75Infineon
253679BCR112TE6327Transistor de Digital - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7Infineon
253680BCR112UTransistor De Digital Do Silicone de NPNInfineon
Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 6337 | 6338 | 6339 | 6340 | 6341 | 6342 | 6343 | 6344 | 6345 | 6346 | 6347 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Russian version Russian version



© 2018 - www.DatasheetCatalog.com