|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 6337 | 6338 | 6339 | 6340 | 6341 | 6342 | 6343 | 6344 | 6345 | 6346 | 6347 | >>
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
253641BCR108L3E6327Digital Transistoren - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47Infineon
253642BCR108SNPN Silikon-Digital Transistor-Reihe (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Treiberstromkreis)Siemens
253643BCR108SNPN Silikon-Digital TransistorInfineon
253644BCR108S E6327Eingebaute Widerstand Af Verdoppelungtransistoren; 2xNPN; Industrielle Standars Arten, Icmax von 100mA; Vceo von 50VInfineon
253645BCR108SE6327Digital Transistoren - R1 = kOhm 2.2; R2 = 47 kOhm SOT363Infineon
253646BCR108TEinzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SC75Infineon
253647BCR108TE6327Digital Transistoren - R1 = 2,2kOhm; R2 = 47kOhmInfineon
253648BCR108WNPN Silikon-Digital Transistor (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Treiberstromkreis)Siemens
253649BCR108WEinzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SOT323Infineon
253650BCR108WE6327Digital Transistoren - kOhm R1=2.2; KOhm R2=47Infineon
253651BCR10CMDES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
253652BCR10CMVolt Amperes/400-600 Des TRIAC-10Powerex Power Semiconductors
253653BCR10CM-12Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253654BCR10CM-12Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10Powerex Power Semiconductors
253655BCR10CM-12LVolt Amperes/400-600 Des TRIAC-10Powerex Power Semiconductors
253656BCR10CM-8Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253657BCR10CM-8Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10Powerex Power Semiconductors
253658BCR10CM-8LVolt Amperes/400-600 Des TRIAC-10Powerex Power Semiconductors
253659BCR10CSIntegrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation



253660BCR10CSDES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
253661BCR10CSMITTLERE ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTPowerex Power Semiconductors
253662BCR10PMIntegrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253663BCR10PMMITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
253664BCR10PMLokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10Powerex Power Semiconductors
253665BCR10PM-12Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10Powerex Power Semiconductors
253666BCR10PM-12LLokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10Powerex Power Semiconductors
253667BCR10PM-8Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10Powerex Power Semiconductors
253668BCR10PM-8LLokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-10Powerex Power Semiconductors
253669BCR10PNDigital Transistoren - Paket SOT363Infineon
253670BCR10PNNPN/PNP Silikon-Digital Tansistor Reihe (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Antrieb Stromkreis)Siemens
253671BCR10UMMITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, GLASPASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
253672BCR112Digital Transistoren - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7Infineon
253673BCR112NPN Silikon-Digital Transistor (Schaltung Stromkreis, Inverter, inferface Stromkreis, Treiberstromkreis)Siemens
253674BCR112FEinzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSFP-3Infineon
253675BCR112FE6327Digital Transistoren - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7Infineon
253676BCR112L3Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSLP-3Infineon
253677BCR112L3E6327Digital Transistoren - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7Infineon
253678BCR112TEinzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SC75Infineon
253679BCR112TE6327Digital Transistoren - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7Infineon
253680BCR112UNPN Silikon-Digital TransistorInfineon
Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 6337 | 6338 | 6339 | 6340 | 6341 | 6342 | 6343 | 6344 | 6345 | 6346 | 6347 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2023 - www.DatasheetCatalog.com