Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
256281 | BD242B | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
256282 | BD242B | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
256283 | BD242B | PODER TRANSISTORS(3A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256284 | BD242B | PODER PLÁSTICO TRANSISTORSS DO SILICONE COMPLEMENTAR | Boca Semiconductor Corporation |
256285 | BD242B | Transistor De Poder Plásticos Do Silicone Complementar | Motorola |
256286 | BD242B | Poder 3A 80V PNP | ON Semiconductor |
256287 | BD242B | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | TRSYS |
256288 | BD242B | Silício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. Vcer -90V, 40W. | General Electric Solid State |
256289 | BD242B | 90 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
256290 | BD242B | PNP transistor de potência plástico de silicone. Projetado para uso em comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 80Vdc, VCES = 90Vdc, o VEB = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
256291 | BD242BFP | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
256292 | BD242BFP | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
256293 | BD242BFP | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
256294 | BD242C | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
256295 | BD242C | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
256296 | BD242C | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | Power Innovations |
256297 | BD242C | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
256298 | BD242C | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
256299 | BD242C | PODER TRANSISTORS(3A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256300 | BD242C | PODER PLÁSTICO TRANSISTORSS DO SILICONE COMPLEMENTAR | Boca Semiconductor Corporation |
256301 | BD242C | Transistor De Poder Plásticos Do Silicone Complementar | Motorola |
256302 | BD242C | Poder 3A 100V PNP | ON Semiconductor |
256303 | BD242C | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | TRSYS |
256304 | BD242C | Silício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. Vcer -115V, 40W. | General Electric Solid State |
256305 | BD242C | 115 V, silício PNP transistor de potência | TRANSYS Electronics Limited |
256306 | BD242C | PNP transistor de potência plástico de silicone. Projetado para uso em comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 100VCC, VCES = 115Vdc, o VEB = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
256307 | BD242CTU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
256308 | BD242TU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
256309 | BD243 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
256310 | BD243 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Power Innovations |
256311 | BD243 | PODER TRANSISTORS(6A, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
256312 | BD243 | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DO SILICONE COMPLEMENTAR | Boca Semiconductor Corporation |
256313 | BD243 | 65.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 6.000A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
256314 | BD243 | Silício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. Vcer 55V, 65W. | General Electric Solid State |
256315 | BD243A | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
256316 | BD243A | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Power Innovations |
256317 | BD243A | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DO SILICONE COMPLEMENTAR | Boca Semiconductor Corporation |
256318 | BD243A | TRANSISTOR DE PODER: APLICAÇÃO DO AMPLIFICADOR DA FINALIDADE GERAL E DO SWITCHING DE LOW-FREQUENCY | MOSPEC Semiconductor |
256319 | BD243A | 65.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 6.000A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
256320 | BD243A | Silício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. Vcer 70V, 65W. | General Electric Solid State |
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