| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 256081 | BD202 | Amplificador Complementar Da Finalidade Geral Dos Transistor Do Silicone, Interruptor | NTE Electronics |
| 256082 | BD202 | SILICONE BAIXO EPITAXIAL NPN E TRANSISTOR DE PNP VERSAWATT | General Semiconductor |
| 256083 | BD202 | 60.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 8.000A Ic, 30 hFE. BD201 Complementar | Continental Device India Limited |
| 256084 | BD202 | Silício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. -60V, 60W. | General Electric Solid State |
| 256085 | BD203 | SILICONE BAIXO EPITAXIAL NPN E TRANSISTOR DE PNP VERSAWATT | General Semiconductor |
| 256086 | BD203 | 60.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 8.000A Ic, 30 hFE. BD204 Complementar | Continental Device India Limited |
| 256087 | BD203 | Silício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. 80V, 60W. | General Electric Solid State |
| 256088 | BD204 | SILICONE BAIXO EPITAXIAL NPN E TRANSISTOR DE PNP VERSAWATT | General Semiconductor |
| 256089 | BD204 | 60.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 8.000A Ic, 30 hFE. BD203 Complementar | Continental Device India Limited |
| 256090 | BD204 | Silício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. -80V, 60W. | General Electric Solid State |
| 256091 | BD205 | 10 SILICONE DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO AMPÈRE | Motorola |
| 256092 | BD206 | 10 SILICONE DO TRANSISTOR DE PODER PNP DO AMPÈRE | Motorola |
| 256093 | BD207 | 10 SILICONE DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO AMPÈRE | Motorola |
| 256094 | BD208 | 10 SILICONE DO TRANSISTOR DE PODER PNP DO AMPÈRE | Motorola |
| 256095 | BD230 | Transistor de poder de NPN | Philips |
| 256096 | BD231 | Transistor de poder de PNP | Philips |
| 256097 | BD233 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256098 | BD233 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 256099 | BD233 | 25.000W comutação NPN plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256100 | BD233 | NPN transistor de potência de silício. 2 A, 45 V, 25 W. | Motorola |
| 256101 | BD233STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256102 | BD234 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256103 | BD234 | TRANSISTOR DO SILICONE PNP | ST Microelectronics |
| 256104 | BD234 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 256105 | BD234 | 25.000W comutação PNP plástico com chumbo Transistor. VCEO 45V, 2.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256106 | BD234 | PNP transistor de plástico médio silício poder. 2 A, 45 V, 25 W. | Motorola |
| 256107 | BD234 | SILICONE PNP TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 256108 | BD234STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256109 | BD235 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256110 | BD235 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 256111 | BD235 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256112 | BD235 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256113 | BD235 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 256114 | BD235 | 25.000W comutação NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 2.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256115 | BD235STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256116 | BD236 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256117 | BD236 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 256118 | BD236 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256119 | BD236 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256120 | BD236 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
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