| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 259041 | BF258 | 1.000W Uso Geral NPN metal pode transistor. 250V VCEO, 0.100A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 259042 | BF259 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259043 | BF259 | Mocy krzemowy do redniej de Tranzystor, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 259044 | BF259 | AMPLIFICADOR VIDEO DE ALTA TENSÃO DE NPN | Micro Electronics |
| 259045 | BF259 | AMPLIFICADORES VIDEO DE ALTA TENSÃO | SGS Thomson Microelectronics |
| 259046 | BF259 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 259047 | BF259 | AMPLIFICADORES VIDEO DE ALTA TENSÃO | ST Microelectronics |
| 259048 | BF259 | 1.000W Uso Geral NPN metal pode transistor. 300V VCEO, 0.100A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 259049 | BF314 | Wielkiej cz?otliwo.ci de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 259050 | BF314 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 259051 | BF324 | Transistor médio da freqüência de PNP | Philips |
| 259052 | BF324 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 259053 | BF333 | Série Pro Da Eleição | National Semiconductor |
| 259054 | BF337 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 259055 | BF3506TV | PONTE CHEIA DO RECTIFICATION 50-60HZ | SGS Thomson Microelectronics |
| 259056 | BF3506TV | PONTE CHEIA DO RECTIFICATION 50-60HZ | ST Microelectronics |
| 259057 | BF3510TV | PONTE CHEIA DO RECTIFICATION 50-60HZ | ST Microelectronics |
| 259058 | BF3510TV | PONTE CHEIA DO RECTIFICATION 50-60HZ | SGS Thomson Microelectronics |
| 259059 | BF355 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 259060 | BF355 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 259061 | BF362 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 259062 | BF363 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN | Siemens |
| 259063 | BF36931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259064 | BF36931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259065 | BF36933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259066 | BF36933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259067 | BF370 | Transistor médio da freqüência de NPN | Philips |
| 259068 | BF370R | 0.500W de alta tensão NPN plástico com chumbo Transistor. 15V VCEO, 0.100A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 259069 | BF37931E | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259070 | BF37931E | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259071 | BF37933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259072 | BF37933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259073 | BF38931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259074 | BF38931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259075 | BF38933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259076 | BF38933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 259077 | BF391 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 259078 | BF391 | 1.000W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 200V VCEO, 1.000A Ic, 25-0 hFE | Continental Device India Limited |
| 259079 | BF392 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 259080 | BF392 | Transistors(NPN) De alta tensão | Motorola |
| | | |
