| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 25961 | 1N5518B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 3.3 V. Teste atuais 20 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25962 | 1N5518B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 25963 | 1N5518B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 25964 | 1N5518B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 25965 | 1N5518BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 25966 | 1N5518C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 25967 | 1N5518C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 25968 | 1N5518D | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 25969 | 1N5518D | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 3.3 V. Teste atuais 20 mAcc. + -1% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25970 | 1N5519 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 25971 | 1N5519 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 25972 | 1N5519 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 25973 | 1N5519A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 25974 | 1N5519A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 3,6 V. Teste de corrente de 20 mA CC. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25975 | 1N5519B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 25976 | 1N5519B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 25977 | 1N5519B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 25978 | 1N5519B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 3,6 V. Teste de corrente de 20 mA CC. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25979 | 1N5519B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 25980 | 1N5519B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 25981 | 1N5519B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 25982 | 1N5519BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 25983 | 1N5519C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 25984 | 1N5519C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 25985 | 1N5519D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 25986 | 1N5519D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 25987 | 1N5520 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 25988 | 1N5520 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 25989 | 1N5520 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 25990 | 1N5520A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 25991 | 1N5520A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 3,9 V. Teste atuais 20 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25992 | 1N5520B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 25993 | 1N5520B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 25994 | 1N5520B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 25995 | 1N5520B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 25996 | 1N5520B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 3,9 V. Teste atuais 20 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25997 | 1N5520B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 25998 | 1N5520B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 25999 | 1N5520B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26000 | 1N5520BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
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