| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 26001 | 1N5520C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26002 | 1N5520C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26003 | 1N5520D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26004 | 1N5520D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26005 | 1N5521 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26006 | 1N5521 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26007 | 1N5521 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26008 | 1N5521A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26009 | 1N5521A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 4.3 V. Teste atuais 20 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26010 | 1N5521B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26011 | 1N5521B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26012 | 1N5521B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26013 | 1N5521B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 4.3 V. Teste atuais 20 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26014 | 1N5521B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26015 | 1N5521B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26016 | 1N5521B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26017 | 1N5521BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26018 | 1N5521C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26019 | 1N5521C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26020 | 1N5521D | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26021 | 1N5521D | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 4.3 V. Teste atuais 20 mAcc. + -1% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26022 | 1N5522 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26023 | 1N5522 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26024 | 1N5522 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26025 | 1N5522A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26026 | 1N5522A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 4,7 V. Teste de corrente de 10 mA CC. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26027 | 1N5522B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26028 | 1N5522B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26029 | 1N5522B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26030 | 1N5522B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener de 4,7 V. Teste de corrente de 10 mA CC. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26031 | 1N5522B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26032 | 1N5522B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26033 | 1N5522B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26034 | 1N5522BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26035 | 1N5522C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26036 | 1N5522C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26037 | 1N5522D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26038 | 1N5522D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26039 | 1N5523 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26040 | 1N5523 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
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