| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 26201 | 1N5532 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26202 | 1N5532 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26203 | 1N5532A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26204 | 1N5532A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 12,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26205 | 1N5532B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26206 | 1N5532B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26207 | 1N5532B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26208 | 1N5532B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26209 | 1N5532B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 12,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26210 | 1N5532B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26211 | 1N5532B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26212 | 1N5532B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26213 | 1N5532BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26214 | 1N5532C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26215 | 1N5532C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26216 | 1N5532D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26217 | 1N5532D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26218 | 1N5533 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26219 | 1N5533 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26220 | 1N5533 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26221 | 1N5533A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26222 | 1N5533A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 13,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26223 | 1N5533B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26224 | 1N5533B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26225 | 1N5533B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26226 | 1N5533B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26227 | 1N5533B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 13,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26228 | 1N5533B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26229 | 1N5533B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26230 | 1N5533BBUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26231 | 1N5533BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26232 | 1N5533C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26233 | 1N5533C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26234 | 1N5533D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26235 | 1N5533D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26236 | 1N5534 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26237 | 1N5534 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26238 | 1N5534 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26239 | 1N5534A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26240 | 1N5534A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 14,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
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