| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 26401 | 1N5544A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26402 | 1N5544A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 28,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26403 | 1N5544B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26404 | 1N5544B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26405 | 1N5544B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26406 | 1N5544B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 28,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26407 | 1N5544B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26408 | 1N5544B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26409 | 1N5544BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26410 | 1N5544C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26411 | 1N5544C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26412 | 1N5544D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26413 | 1N5544D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26414 | 1N5545 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26415 | 1N5545 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26416 | 1N5545 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26417 | 1N5545A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26418 | 1N5545A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 30,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26419 | 1N5545B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26420 | 1N5545B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26421 | 1N5545B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26422 | 1N5545B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 30,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26423 | 1N5545B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26424 | 1N5545B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26425 | 1N5545BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26426 | 1N5545C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26427 | 1N5545C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26428 | 1N5545D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26429 | 1N5545D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26430 | 1N5546 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26431 | 1N5546 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26432 | 1N5546 | Nom tensão zener: 33.0V; medido a partir 1000-3000Hz; baixa tensão do diodo zener avalanche; alto desempenho: baixo nível de ruído, baixo vazamento | Knox Semiconductor Inc |
| 26433 | 1N5546A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26434 | 1N5546A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 33,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26435 | 1N5546B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26436 | 1N5546B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26437 | 1N5546B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26438 | 1N5546B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Nominal tensão zener 33,0 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26439 | 1N5546B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26440 | 1N5546B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
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