| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 45241 | 2N3440 | AMPLIFICADORES DE ALTA TENSÃO | Boca Semiconductor Corporation |
| 45242 | 2N3440 | TRANSISTOR DE ALTA TENSÃO DE NPN | SemeLAB |
| 45243 | 2N3440 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45244 | 2N3440 | 1.000W de alta tensão NPN metal pode transistor. 250V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45245 | 2N3440 | De alta tensão silício NPN planar transistor. | General Electric Solid State |
| 45246 | 2N3440CSM4R | ALTA TENSÃO, PODER MÉDIO, TRANSISTOR De NPN Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 45247 | 2N3440L | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45248 | 2N3441 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45249 | 2N3441 | PODER TRANSISTORS(3A, 140v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 45250 | 2N3441 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 45251 | 2N3441 | TRANSISTOR MÉDIO DO SILICONE NPN DO PODER | SemeLAB |
| 45252 | 2N3441 | Poder silício Médio NPN transistor. 160V, 25W. | General Electric Solid State |
| 45253 | 2N3442 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45254 | 2N3442 | TRANSISTOR DE PODER | MOSPEC Semiconductor |
| 45255 | 2N3442 | TRANSISTOR INDUSTRIAIS DE HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 45256 | 2N3442 | 10 SILICONE DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO AMPÈRE 140 VOLTS 117 WATTS | Motorola |
| 45257 | 2N3442 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 45258 | 2N3442 | Poder 10A 140V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 45259 | 2N3442 | Alta potência transistor industrial | Comset Semiconductors |
| 45260 | 2N3442 | Silício de alta tensão NPN transistor. 160V, 117W. | General Electric Solid State |
| 45261 | 2N3442-D | Transistor Industriais Do Elevado-Poder | ON Semiconductor |
| 45262 | 2N3444 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45263 | 2N3445 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 45264 | 2N3447 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 45265 | 2N3467 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45266 | 2N3467 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45267 | 2N3467 | Datilografe 2N3467 A Polaridade PNP Da Geometria 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45268 | 2N3467L | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45269 | 2N3467L | Datilografe 2N3467L A Polaridade PNP Da Geometria 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45270 | 2N3468 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45271 | 2N3468 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45272 | 2N3468 | Datilografe 2N3468 A Polaridade PNP Da Geometria 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45273 | 2N3468L | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45274 | 2N3468L | Datilografe 2N3468L A Polaridade PNP Da Geometria 6706 | Semicoa Semiconductor |
| 45275 | 2N3478 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 45276 | 2N3478 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45277 | 2N3478 | 0.200W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 15V, 0.050A Ic, 25-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45278 | 2N3485 | Tipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 0600 de 2C2904A | Semicoa Semiconductor |
| 45279 | 2N3485A | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45280 | 2N3485A | Tipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 0600 de 2C2904A | Semicoa Semiconductor |
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